Назад
Денисов С.А.
Матвеев С.А.
Чалков В.Ю.
Филатов Д.О.
Машин А.И.
Круглов А.В.
Трушин В.Н.
Гусейнов Д.В.
Шенгуров В.Г.
Иванова М.М.
Гетероэпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки
Докладчик:
Иванова М.М.
Файл тезисов:
Si-2014_Ivanova3.doc
К списку докладов
Комментарии
Имя:
Код подтверждения: