Фомин, Борис Иванович
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Список докладов
- Маляренко Н.Ф.*, Наумова О.В.*, Фомин Б.И.*, Попов В.П.*
Определение плотности поверхностных состояний и зарядового состояния кни-нанопроволочных сенсоров при адсорбции белка
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Кулубаева Э.Г.*, Наумова О.В.*, Фомин Б.И.*, Попов В.П.*
Подвижность электронов в обогащении в слоях КНИ при различном состоянии поверхности
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Фрицлер К.Б.*, Чистохин И.Б.*, Фомин Б.И.*, Калинин В.В.*, Пчеляков О.П.*
Эффект геттерирования при изготовлении pin фотодиодов на высокомном кремнии
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия