Болховитянов, Юрий Борисович
Главный научный сотрудник, Доктор физико-математических наукИнститут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Доклад
- Соколов Л.В.*, Болховитянов Ю.Б.*, Дерябин А.С.*, Гутаковский А.К.**
Краевые дислокации несоответствия в эпитаксиальных напряженных пленках полупроводников с решеткой сфалерита и алмаза: образование и участие в пластической релаксации
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия