Юрасов, Дмитрий Владимирович
Научный сотрудник, Кандидат физико-математических наук
Институт физики микроструктур РАН
http://ipmras.ru
Россия, 603950, Нижний Новгород, Нижний Новгород, ГСП-105
Телефон: (831) 417–94–73Список докладов
- Юрасов Д.В.*, Новиков А.В.**, Шалеев М.В.*, Юнин П.А.*
Влияние знака деформации на рост SiGe напряженных структур
*Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
- Иванова М.М.*, Киселев В.К.*, Качемцев А.Н.*, Филатов Д.О.**, Гусейнов Д.В.**, Шенгуров В.Г.**, Юрасов Д.В.***
Исследование радиационной стойкости pin-фотодетекторов на базе соединений SiGe
*ФГУП "ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова" (Нижний Новгород), Россия
**Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
***Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
- Байдакова Н.А.*, Новиков А.В.**, Шалеев М.В.***, Юрасов Д.В.***
Оптические свойства Ge(Si) наноостровков, заключенных между напряженными слоями Si, сформированных на подложках sSOI и релаксированных SiGe буферах
*Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
***Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
- Иванова М.М.*, Киселев В.К.*, Качемцев А.Н.*, Лебедева Ю.С.*, Юрасов Д.В.**
Проблемы обеспечения радиационной стойкости оптопар на кремнии
*ФГУП "ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова" (Нижний Новгород), Россия
**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
- Юрасов Д.В.*, Дроздов М.Н.*, Шалеев М.В.*, Юнин П.А.*
Формирование SiGe гетероструктур с высокой долей Ge и их селективное легирование сегрегирующими примесями
*Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
К списку участников