Гутаковский, Антон Константинович

Список докладов

1. Вдовин В.И.^*, Федина Л.И.^*, Гутаковский А.К.^**, Шек Е.И.^***, Соболев Н.А.^****
   Дефектообразование в пластинах Si, подвергнутых облучению низкоэнергетическим электронным пучком
   ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
   ^**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
   ^***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия
   ^****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
   
2. Соколов Л.В.^*, Болховитянов Ю.Б.^*, Дерябин А.С.^*, Гутаковский А.К.^**
   Краевые дислокации несоответствия в эпитаксиальных напряженных пленках полупроводников с решеткой сфалерита и алмаза: образование и участие в пластической релаксации
   ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
   ^**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
   
3. Галкин Н.Г.^*, Чернев И.М.^*, Шевлягин А.В.^*, Гутаковский А.К.^**
   Пленки MnSi1.75-x на Si(111) и двойные гетероструктуры Si/ MnSi1.75-x /Si(111): формирование, структура и свойства
   ^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
   ^**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
   
4. Галкин Н.Г.^*, Безбабный Д.А.^*, Чернев И.М.^*, Nemes-Incze P.^**, Dosza L.^**, Pecz B.^**, Гутаковский А.К.^***, Kudrawiec R.^****
   Структура и свойства полупроводниковых пленок силицидов кальция и двойных гетероструктур на их основе на Si(111)
   ^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
   ^**Institute of of Material Science and Technical Physics HAS (Budapest), Венгрия
   ^***Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
   ^****Institute of Physics of Wroclaw Technological University (Wroclaw), Польша
   
5. Чусовитин Е.А.^*, Шевлягин А.В.^*, Горошко Д.Л.^*, Галкин Н.Г.^*, Гутаковский А.К.^**
   Эффект всплытия нанокристаллитов b-FeSi2 в процессе их закрытия покрывающим слоем кремния: экспериментальные факты и модель
   ^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
   ^**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия