Основные темы конференции:
1. Методы получения и очистки металлургического кремния.
2. Получение кремния солнечного качества и проблемы солнечной энергетики.
3. Процессы роста из расплава.
4. Рост и материаловедение объемных кристаллов кремния и родственных материалов (Ge, SiGe);
5. Производство полупроводникового кремния и структур на его основе;
6. Рост и материаловедение тонких (в том числе эпитаксиальных) пленок на кремнии, включая кремний-на-изоляторе и напряженные структуры;
7. Физика кремниевых квантово-размерных структур твердотельной электроники, в том числе нано- и оптоэлектроники, спинтроники и фотоники;
8. Нанотехнологии кремниевой электроники, включая ионную имплантацию, литографию, технологии создания квантовых точек и скрытых слоев;
9. Диагностика кремния и приборных структур на его основе;
10. Новые приборы, включающие элементы микромеханики, оптоэлектроники, силовой электроники, светоизлучающие структуры и фотоприемники.
11. Методы и аппаратура для роста и исследования кремния.
Предполагается проведение круглого стола посвященного проблемам преподавания материаловедения полупроводниковых материалов.
Форма докладов:
1. Пленарные - 25 мин.
2. Устные - 15 минут.
3. Стендовые – размер стенда 1x1.5 м.
Язык Конференции: Русский и английский.