Ефанов, Василий Сергеевич
A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS
http://www.isp.nsc.ru/
Russia, 630090, Novosibirsk, Ac. Lavrentiev Ave, 13
Phone: +7(383) 333-27-66, Fax: +7(383) 333-27-71
Report
- Kamaev G.N.*, Володин В.А.*, Гисматулин А.А.*, Ефанов В.С.*, Черкова С.Г.*
Оптические свойства многослойных наногетероструктур Si\SiO2
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia