Брылевский, Виктор Иванович
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)
Russia, St. Petersburg
Report
- Брылевский В.И.*, Грехов И.В.*, Брунков П.Н.*, Rodin P.B.**, Смирнова И.А.**
Influence of Silicon Growth Method and Structure Doping Profile on Subnanosecond Avalanche Switching of High Voltage Diodes
*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) (St. Petersburg), Russia
**Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia