Галкин, Николай Геннадьевич
Deputy Director on science, D.Sc. in Physics and MathematicsИнститут автоматики и процессов управления ДВО РАН
http://iacp.dvo.ru
Russia, Vladivostok, г.Владивосток ул.Радио 5
Reports list
- Guralnik A.S.*, Vavanova S.V.*, Доценко С.А.*, Галкин Н.Г.*, Lin K.**
Formation, Morphology and Magnetic Properties of Fe3Si/ε-FeSi/Fe3Si/Si(111) structure
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
**Национальный университет Чунг Шинг (Taichung), Taiwan - Galkin K.N.*, Chernev I.M.*, Shevlyagin A.V.*, Галкин Н.Г.*
Formation, optical and electrical properties of semiconductor films of magnesium stannide on Si(111)
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia - Chusovitin E.A.*, Shevlyagin A.V.*, Goroshko D.*, Галкин Н.Г.*, Гутаковский А.К.**
Phenomenon of b-FeSi2 Nanocrystallites Emersion During Si Layer Overgrowth: Experimental Facts and a Model
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
**Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia - Chusovitin E.A.*, Bozhenko M.V.*, Galkin K.N.*, Rasin A.B.*, Галкин Н.Г.*, Yan D.T.**, Astashinskiy V.M.***, Kuz'mitskiy A.M.***
Photoluminescence Properties of Porous Silicon Formed on Plasma Treated Silicon Wafers
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
**Дальневосточный государственный университет путей сообщения (Khabarovsk), Russia
***Институт тепло- и массообмена им. А.В.Лыкова НАН Беларуси (Minsk), Belarus - Галкин Н.Г.*, Чернев И.М.*, Shevlyagin A.V.*, Гутаковский А.К.**
Пленки MnSi1.75-x на Si(111) и двойные гетероструктуры Si/ MnSi1.75-x /Si(111): формирование, структура и свойства
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
**Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia - Шамирзаев Т.С.*, Галкин Н.Г.**, Shevlyagin A.V.**, Саранин А.А.**, Латышев А.В.*
Светодиодные 1,5 мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+-Si/НК β-FeSi2/n-Si
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
**Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia - Галкин Н.Г.*, Безбабный Д.А.*, Чернев И.М.*, Nemes-Incze P.**, Dosza L.**, Pecz B.**, Гутаковский А.К.***, Kudrawiec R.****
Структура и свойства полупроводниковых пленок силицидов кальция и двойных гетероструктур на их основе на Si(111)
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
**Institute of of Material Science and Technical Physics HAS (Budapest), Hungary
***Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia
****Institute of Physics of Wroclaw Technological University (Wroclaw), Poland - Galkin K.N.*, Галкин Н.Г.*, Ховайло В.В.**, Усенко А.**, Воронин А.**
Формирование и свойства объемных кремниевых структур с внедренными кристаллитами дисилицидов Fe и Cr
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
**НИТУ "МИСиС" - Goroshko D.*, Galkin K.N.*, Dosza L.**, Галкин Н.Г.*
Формирование и термоэлектрические свойства кремниевых нанокомпозитов на основе дисилицида хрома и магния
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
**Institute of of Material Science and Technical Physics HAS (Budapest), Hungary