Vdovin, Vladimir Il'ich
Senior Research Scientist, Ph.D. in Physics and MathematicsA.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS
http://www.isp.nsc.ru/
Russia, 630090, Novosibirsk, Ac. Lavrentiev Ave, 13
Phone: +7(383) 333-27-66, Fax: +7(383) 333-27-71
Report
- Vdovin V.I.*, Fedina L.I.*, Гутаковский А.К.**, Shek E.***, Sobolev N.****
Formation of structural defects in Si wafers irradiated with low-energy electron beam
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
**Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia
***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (St. Petersburg), Russia
****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia