Kulubaeva, Elza Gaynullaevna
PhD studentA.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS
http://www.isp.nsc.ru/
Russia, 630090, Novosibirsk, Ac. Lavrentiev Ave, 13
Phone: +7(383) 333-27-66, Fax: +7(383) 333-27-71
Report
- Kulubaeva E.G.*, Naumova O.V.*, Fomin B.I.*, Popov V.P.*
Подвижность электронов в обогащении в слоях КНИ при различном состоянии поверхности
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia