Baranov, Gleb Vladimirovich

Report

• Baranov G.V.^*, Italyantsev A.G.^**, Orlov O.M.^***, Peskov S.G.^****
  Features of Transient Enhanced Arsenic Diffusion in Si/SiO2 structure
  ^*ОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники" (Moscow), Russia
  ^**ОАО "НИИ Молекулярной Электроники" (Moscow), Russia
  ^***НИИ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (Москва Зеленоград), Russia
  ^****ОАО "НИИМЭ и Микрон" (Moscow), Russia