Fomin, Boris Ivanovich

Reports list

1. Malyarenko N.F.^*, Naumova O.V.^*, Fomin B.I.^*, Popov V.P.^*
   Определение плотности поверхностных состояний и зарядового состояния кни-нанопроволочных сенсоров при адсорбции белка
   ^*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
   
2. Kulubaeva E.G.^*, Naumova O.V.^*, Fomin B.I.^*, Popov V.P.^*
   Подвижность электронов в обогащении в слоях КНИ при различном состоянии поверхности
   ^*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
   
3. Фрицлер К.Б.^*, Чистохин И.Б.^*, Fomin B.I.^*, Калинин В.В.^*, Pchelyakov O.^*
   Эффект геттерирования при изготовлении pin фотодиодов на высокомном кремнии
   ^*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia