Back

Reports list

  1. Abdurakhmanov B.*, Ashurov K.B.**, Adilov M.*, Kuchkanov S.K.***, Maksimov S.*, Oksengendler B.L.***
    Role of resonant tunneling in enhancement of thermoelectric properties of granular siliconPERTIES OF GRANULAR SILICON
    *Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan
    **Институт ионно- плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбе (Tashkent), Uzbekistan
    ***Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan
  2. Abdurakhmanov B.*, Ashurov K.B.**, Adilov M.*, Kurbonov M.*
    Application of technical silicon for creation of thermovoltaic converters
    *Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan
    **Институт ионно- плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбе (Tashkent), Uzbekistan
  3. Abdurakhmanov B.*, Ashurov K.B.**, Kuchkanov S.K.***, Maksimov S.*, Nimatov S.J.***
    Thermovoltaic energy converters based on silicon p-n structures and on films of solid solutions of Si-Ge-Ti on silicon
    *Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan
    **Институт ионно- плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбе (Tashkent), Uzbekistan
    ***Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan
  4. Abrosimov N.*
    Моноизотопный монокристаллический кремний: получение и перспективы применения
    *Leibniz Instutute for Crystal growth (Berlin), Germany
  5. Akimov V.V.*, Pescherova S.M.**
    Speciation of doping elements in silicon (analysis of microimpurity trapping effects on the defects of structure) Species of doping elements in silicon (analysis of microimpurity trapping effects by structure defects)
    *ИХГ СО РАН (Irkutsk), Russia
    **Институт геохимии СО РАН (Irkutsk), Russia
  6. Alimov N.E.*, Abdurasulova S.O.**, Imomova S.M.**, Otajonov S.M.**, Yakubova S.К.**
    Sensor in a broad wavelength range of light based on CdTe-SiO2-Si-Al with deep impurity levels
    *Ферганский государственный университет (fergana), Uzbekistan
    **Fergana State University (fergana), Uzbekistan
  7. Arzumanyan H.V.*, Kolpachev A.B.**
    The electronic states in the semiconductor gap of silicon caused by substitutional impurities of titanium and carbon
    *Южный Федеральный Университет (Ростов на Дону), Russia
    **Таганрогский технологический институт Южного Федерального университета (Rostov), Russia
  8. Atakulov S.B.*, Abdullayeva G.B.*, Isroilova U.A.*, Atakulov B.A.*
    Semiconductor silicon diodes with negative resistance compensated gold
    *Fergana State University (fergana), Uzbekistan
  9. Azhdarov H.K.*, Aghamaliyev Z.A.*, Zakhrabekova Z.M.*, Kazimova V.K.*
    Complexly-doped Ge<Ga,Sb,Ni> Crystals
    *Институт Физики НАН Азербайджана (Baku), Azerbaijan
  10. Baidakova N.*, Новиков А.В.**, Shaleev M.V.***, Yurasov D.V.***
    Оптические свойства Ge(Si) наноостровков, заключенных между напряженными слоями Si, сформированных на подложках sSOI и релаксированных SiGe буферах
    *Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
    **Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
    ***Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
  11. Baranov G.V.*, Italyantsev A.G.**, Orlov O.M.***, Peskov S.G.****
    Features of Transient Enhanced Arsenic Diffusion in Si/SiO2 structure
    *ОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники" (Moscow), Russia
    **ОАО "НИИ Молекулярной Электроники" (Moscow), Russia
    ***НИИ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (Москва Зеленоград), Russia
    ****ОАО "НИИМЭ и Микрон" (Moscow), Russia
  12. Batalov R.I.*
    Pulsed modification of germanium films on silicon, sapphire and quartz substrates: the structure and optical properties
    *Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН (Kazan), Russia
  13. Berdnikov V.S.*, Grigorieva A.M.*, Mitin K.*, Клещенок М.С.*
    Поля температуры в кристаллах различной теплопроводности и размеров в методе Чохральского при теплоотдаче с их поверхности в режимах свободной конвекции
    *Kutateladze Institute of Thermophysics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  14. Berdnikov V.S.*, Mitin K.*
    Исследования относительной роли механизмов теплоотдачи на поля температуры в кристаллах в методе Чохральского
    *Kutateladze Institute of Thermophysics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  15. Berdnikov V.S.*, Mitin K.*, Митина А.*
    Поле температуры в U-образном кремниевом стрежне, разогреваемом электрическим током, в режиме конвективной теплоотдачи
    *Kutateladze Institute of Thermophysics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  16. Berdnikov V.S.*, Винокуров В.А.*, Винокуров В.В.*, Марков В.А.*
    Нестационарные режимы свободной и смешанной конвекции в методе Чохральского
    *Kutateladze Institute of Thermophysics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  17. Berdnikov V.S.*, Клещенок М.С.**, Митин К.А.**
    Влияние геометрии на поля температуры в кристаллах кремния в режимах радиационно-конвективной тплоотдачи
    *Kutateladze Institute of Thermophysics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
    **Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе, Новосибирский Государственный университет (Novosibirsk), Russia
  18. Bezrodnyy D.*, Filimonov S.N.*, Эрвье Ю.Ю.*
    Computer simulations of layer-by-layer to multilayer growth mode transition of 3D island faces
    *Tomsk State University (Tomsk), Russia
  19. Bondarenko A.S.*, Vyvenko O.*, Kononchuk O.**
    Luminescence of dislocation networks at bonded silicon wafers interface induced by electrical refilling of charge carrier traps
    *НИИ физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет (St. Petersburg), Russia
    **SOITEC (Гренобль), France
  20. Borisov V.C.*, Стребков Д.С.**
    Solar silicon modules on the basis of vertical multi-junction solar cells
    *Всероссийский институт электрификации сельского хозяйства (Moscow), Russia
    **ГНУ ВИЭСХ (Moscow), Russia
  21. Bozhko S.I.*
    Электронный рост наноостровков Pb на поверхности Si(7 7 10)
    *Институт физики твердого тела РАН (Chernogolovka), Russia
  22. Bozhko S.I.*, Ionov A.*
    Поверхности Si(hhm): полигон для создания наноструктур
    *Институт физики твердого тела РАН (Chernogolovka), Russia
  23. Chusovitin E.A.*, Bozhenko M.V.*, Galkin K.N.*, Rasin A.B.*, Галкин Н.Г.*, Yan D.T.**, Astashinskiy V.M.***, Kuz'mitskiy A.M.***
    Photoluminescence Properties of Porous Silicon Formed on Plasma Treated Silicon Wafers
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
    **Дальневосточный государственный университет путей сообщения (Khabarovsk), Russia
    ***Институт тепло- и массообмена им. А.В.Лыкова НАН Беларуси (Minsk), Belarus
  24. Chusovitin E.A.*, Shevlyagin A.V.*, Goroshko D.*, Галкин Н.Г.*, Гутаковский А.К.**
    Phenomenon of b-FeSi2 Nanocrystallites Emersion During Si Layer Overgrowth: Experimental Facts and a Model
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
    **Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia
  25. Demidov Y.A.*, Чаплыгин Ю.А.*, Shevyakov V.I.**, Belov A.N.**, Golishnikov A.A.***
    Особенности нанопрофилирования кремния плазменным травлением через твердую маску пористого оксида алюминия
    *МИЭТ (Moscow), Russia
    **Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Moscow), Russia
    ***Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ (Moscow), Russia
  26. Demin V.*, Ващенко Сергей Петрович С.П.**
    применение электродуговых плазмотронов в новых технологиях получения поликремния
    *Институт неорганической химии СО РАН,Новосибирск (Novosibirsk), Russia
    **Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, Новосибирск (Novosibirsk), Russia
  27. Denisov S.A.*, Matveev S.A.*, Чалков В.Ю.*, Филатов Д.О.*, Машин А.И.*, Круглов А.В.*, Трушин В.Н.*, Guseinov D.V.*, Шенгуров В.Г.*, Иванова М.М.**
    Гетероэпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки
    *Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
    **ФГУП "ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова" (Nizhniy Novgorod), Russia
  28. Denisov S.A.*, Гавва В.А.**, Гусев А.В.**, Drozdov M.N.***, Ezhevskii A.*, Деточенко А.П.*, Шенгуров В.Г.*
    Рост эпитаксиальных слоев моноизотопного кремния методом сублимационной моле-кулярно-лучевой эпитаксии
    *Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
    **Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
    ***Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
  29. Dmitrievskiy A.a.*, Efremova N.Y.*, Guseva D.G.*, Druzhkin A.V.*, Martus A.S.*
    Micro- and nanohardness of silicon porous layers
    *Тамбовский государственный университет имени Г.Р. Державина (Tambov), Russia
  30. Eremeev V.S.*, Kirilin A.A.*, Shevchenko M.A.*, Shuvalov S.P.*, Strumeliak A.V.*, Bulatov Y.N.*, Shakirov V.A.*
    Development of technical solutions to improve the efficiency of solar power stations
    *Братский государственный университет (Bratsk), Russia
  31. Ezhevskii A.*, Guseinov D.V.*, Soukhorukov A.V.*, Popkov S.A.*, Konakov A.A.*, Abrosimov N.**, Riemann H.***
    Эффекты примесного спин-зависимого рассеяния и спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии, легированном висмутом
    *Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
    **Leibniz Instutute for Crystal growth (Berlin), Germany
    ***Leibniz Institute of Crystal Growth (Berlin), Germany
  32. Fedorov A.M.*, Непомнящих А.И.**
    Quartz resources to produce silicon in Russia.
    *A.P.Vinogradov Institute of Geochemistry of SB RAS (Irkutsk), Russia
    **Институт геохимии СО РАН (Irkutsk), Russia
  33. Fedotov A.K.*, Prischepa S.**, Red`ko S.**, Dolgii A.**, Fedotova V.***, Svito I.*
    Электрические свойства наноструктур пористый кремний/кремний и пористый кремний/никель/кремний
    *Белорусский государственный университет
    **Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Minsk), Belarus
    ***Научно-практический центр НАНБ по материаловедению (Minsk), Belarus
  34. Fedotov A.K.*, Turischev S.**, Parinova E.**, Fedotova J.***, Streltsov E.*, Иванов Д.*, Mazanik A.*
    Электронный транспорт в наноструктурах Si/SiO2/Ni и Ni/Si, полученных методом электрохимического осаждения
    *Белорусский государственный университет
    **Воронежский государственный университет (Voronezh), Russia
    ***Центр физики частиц и высоких энергий БГУ (Minsk), Belarus
  35. Fedotov A.K.*, Трафименко А.Г.**, Danilyuk A.***, Prischepa S.***
    Низкотемпературная проводимость и магнитосопротивление легированного сурьмой кремния
    *Белорусский государственный университет
    **Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Minsk), Belarus
    ***Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Minsk), Belarus
  36. Filimonov S.N.*, Эрвье Ю.Ю.*
    Динамика элементарных ступеней на боковых гранях нитевидных нанокристаллов
    *Tomsk State University (Tomsk), Russia
  37. Filimonov S.N.*, Эрвье Ю.Ю.*, Sambonsuge S.**, Suemitsu M.**
    Surface energy anysotropy and formation mechanisms of heteroepitaxial 3C-SiC/Si(110) films
    *Tomsk State University (Tomsk), Russia
    **Tohoku University (Sendai), Japan
  38. Galkin K.N.*, Chernev I.M.*, Shevlyagin A.V.*, Галкин Н.Г.*
    Formation, optical and electrical properties of semiconductor films of magnesium stannide on Si(111)
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
  39. Galkin K.N.*, Галкин Н.Г.*, Ховайло В.В.**, Усенко А.**, Воронин А.**
    Формирование и свойства объемных кремниевых структур с внедренными кристаллитами дисилицидов Fe и Cr
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
    **НИТУ "МИСиС"
  40. Gerasimenko N.N.*, Smirnov D.I.**, Zaporozhan O.***
    Радиационные эффекты в кремниевых наноструктурах
    *Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Russia
    **Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Russia
    ***Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (Moscow), Russia
  41. Golubovskaya N.O.*, Shimanskiy A.F.*
    Investigation of the oxygen behavior in germanium crystals during annealing
    *Siberian Federal University (Krasnoyarsk), Russia
  42. Gonik M.*
    Unidirectional crystal growth of multi-crystalline silicon under conditions of the reduced gas exchange
    *Центр материаловедения "Фотон" (Александров), Russia
  43. Gonik M.*, Croell A.**, Wagner A.***
    Ge distribution in the ingot of the Si0.9Ge0.1 alloy in its crystal growth from a thin melt layer
    *Центр материаловедения "Фотон" (Александров), Russia
    **Institute for Geosciences of University of Freiburg (Фрайбург), Germany
    ***Institute for Inorganic and Analytical Chemistry (Фрайбург), Germany
  44. Goroshko D.*, Galkin K.N.*, Dosza L.**, Галкин Н.Г.*
    Формирование и термоэлектрические свойства кремниевых нанокомпозитов на основе дисилицида хрома и магния
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
    **Institute of of Material Science and Technical Physics HAS (Budapest), Hungary
  45. Gosteva E.*, Gerasimenko N.N.**
    Study of nanostructured thin antireflection characteristics of porous films for use in solar cells as anti-reflective coating
    *НИТУ "МИСиС"
    **Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Russia
  46. Grachev D.A.*, Карабанова И.А.*, Ershov A.V.*, Пирогов А.В.*, Pavlov D.*
    Нанокристаллы Si и Ge в широкозонных диэлектрических матрицах, полученных высокотемпературным отжигом многослойных нанопериодических структур
    *Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
  47. Guralnik A.S.*, Vavanova S.V.*, Доценко С.А.*, Галкин Н.Г.*, Lin K.**
    Formation, Morphology and Magnetic Properties of Fe3Si/ε-FeSi/Fe3Si/Si(111) structure
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
    **Национальный университет Чунг Шинг (Taichung), Taiwan
  48. Guryanov A.M.*
    Генерационные процессы в кремниевых МДП-структурах с наноразмерными диэлектрическими слоями оксидов редкоземельных элементов
    *Самарский государственный архитектурно-строительный университет (Samara), Russia
  49. Isamov S.B.*, Аюпов К.С.*, Зикриллаев Н.*, Камалов Х.У.*, Валиев С.А.*, Сапарниязова З.М.*
    Время жизни дырок в кремнии с многозарядными кластерами атомов марганца
    *Ташкентский государственный технический университет (Tashkent), Uzbekistan
  50. Kamaev G.N.*, Володин В.А.*, Гисматулин А.А.*, Ефанов В.С.*, Черкова С.Г.*
    Оптические свойства многослойных наногетероструктур Si\SiO2
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  51. Karaseov P.*, Titov A.*, Karabeshkin K.*
    Effect of the density of collision cascade in ion bombarded Si on displacement generation efficiency
    *Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет (St. Petersburg), Russia
  52. Kim V.A.*, Trebuhova T.A.*, Kudarinov S.H.*, Tussupova A.U.*
    Рисовая шелуха - исходное кремнеуглеродное сырье для получения технического кремния
    *Химико-металлургический институт им. Ж. Абишева (Karaganda), Kazakhstan
  53. Kokhanenko A.P.*, Войцеховский А.В.*, Лозовой К.А.*
    Dependence of Ge/Si quantum dots parameters on their base width to length ratio
    *Tomsk State University (Tomsk), Russia
  54. Kolesnikov A.*, Труханов Е.М.*, Loshkarev I.*, Ильин А.С.*
    Tilt boundaries formation in vicinal (001) heterosystem GeSi/Si and GaAs/Si.
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  55. Konakov A.A.*, Беляков В.А.*, Курова Н.В.*, Сидоренко К.В.*, Бурдов В.А.*
    Spin relaxation of conduction electrons in silicon nanocrystals and their ensembles
    *Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
  56. Kosinova M.*
    New precursors and MO CVD processes in nonmaterials technology. Scientific school of Academician F.A. Kuznetsov.
    *Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  57. Kosinova M.*, Ермакова Е.Н.*, Semenova O.I.**
    Оптические покрытия на основе фаз системы Si-N-C-H
    *Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry of SB RAS (Novosibirsk), Russia
    **A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  58. Kozlov A.*
    Research of the planar magnetotransistor offset by methods of device and technological modeling
    *Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Russia
  59. Ksenevich V.*, Adamchuk D.V.*, Gorbachuk N.I.*, Poklonski N.A.*, Wieck A.**
    Impedance of polycrystalline tin dioxide films deposited on Si3N4/Si-substrate
    *Белорусский государственный университет
    **Рурский университет (Бохум), Germany
  60. Kuchinskaya P.*, Zinovyev V.*, Dvurechenskii A.*, Vekshenkova T.**, Rudin S.*
    Effect of elastic deformation field distribution on spatial organization of SiGe quantum dots
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
    **Novosibirsk State Technical University (Novosibirsk), Russia
  61. Kudryavtsev K.E.*, Крыжков Д.И.**, Красильникова Л.В.**, Шенгуров Д.В.**, Шмагин В.Б.**, Андреев Б.А.**, Красильник З.Ф.**
    Estimation of gain cross-section of Er3+ ions in waveguiding Si:Er/SOI structures
    *Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики микроструктур Российской академии наук (Nizhniy Novgorod), Russia
    **Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
  62. Kulubaeva E.G.*, Naumova O.V.*, Fomin B.I.*, Popov V.P.*
    Подвижность электронов в обогащении в слоях КНИ при различном состоянии поверхности
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  63. Kurbonov M.*, Ashurov K.B.**, Abdurakhmanov B.*
    Features of commercial silicon technology in view of the resource base of the Republic of Uzbekistan
    *Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan
    **Институт ионно- плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбе (Tashkent), Uzbekistan
  64. Kutuzov L.*
    Структура и термическая стабильность металлосодержащих кремний-углеродных нанокомпозитов
    *Национальный Исследовательский Центр "Курчатовский институт"
  65. Kveder V.*, Khorosheva M.*
    On the nature of defects produced by motion of dislocations in silicon
    *Институт физики твердого тела РАН (Chernogolovka), Russia
  66. Latukhina N.V.*, Chepurnov V.I.*, Davydov D.M.**, Тимошенко В.Ю.***, Жигунов Д.М.***
    Strucrure and Composition Carbidised Lays of Porous Silicon
    *Самарский государственный университет (Samara), Russia
    **Самарский государственный технический университет (Samara), Russia
    ***Московский государственный университет (Moscow), Russia
  67. Lenshin A.S.*, Kashkarov V.M.**, Anisimov A.*, Domashevskaya E.P.**, Beltyukov A.N.***, Gilmutdinov F.Z.***
    Investigation of theporous silicon surface composition by X-ray photoelectron and ultrasoft x-ray emission spectroscopy.
    *ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
    **Воронежский государственный университет (Voronezh), Russia
    ***Физико-технический институт УрО РАН (Izhevsk), Russia
  68. Lenshin A.S.*, Kashkarov V.M.**, Seredin P.V.**, Налимова С.С.***, Moshnikov V.****, Myakin S.V.*****
    Investigation of the effects of treatment in the polyacrylic acid solution on the surface composition and photoluminescence of porous silicon
    *ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
    **Воронежский государственный университет (Voronezh), Russia
    ***Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) (St. Petersburg), Russia
    ****Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. В. И. Ульянова (Ленина) "ЛЭТИ" (St. Petersburg), Russia
    *****Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ (St. Petersburg), Russia
  69. Levitckii V.S.*, Lenshin A.S.**
    Особенности рамановских спектров и фотолюминесценции различных видов пористого кремния для применения в энергосберегающих технологиях
    *Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
    **ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
  70. Loshachenko A.S.*, Данилов Д.В.*, Shek E.**, Vyvenko O.***, Sobolev N.****
    The electrically active centers in oxygen-implanted n-Cz-Si.
    *Санкт-Петербургский государственный университет (St. Petersburg), Russia
    **Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (St. Petersburg), Russia
    ***НИИ физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет (St. Petersburg), Russia
    ****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
  71. Lysyak E.A.*
    SiTec - Excellence in Silicon Technology
    *SiTec GmbH (Burghausen), Germany
  72. Magomedov M.N.*
    Dependencies of the lattice properties versus of size and shape of nanocrystal of silicon
    *Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем геотермии Дагестанского научного центра Российской академии наук (Mahachkala), Russia
  73. Makhviladze T.*, Minushev A.*, Сарычев М.Е.**
    Advanced model of the copper CMP process for silicon nanotransistor technology
    *Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia
    **Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia
  74. Makhviladze T.*, Сарычев М.Е.**
    A strain-kinetic model for coalescence of oxygen precipitates in silicon
    *Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia
    **Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia
  75. Makhviladze T.*, Сарычев М.Е.**
    Influence of point defects on the coalescence rate of oxygen-containing precipitates in silicon
    *Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia
    **Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia
  76. Malyarenko N.F.*, Naumova O.V.*, Fomin B.I.*, Popov V.P.*
    Определение плотности поверхностных состояний и зарядового состояния кни-нанопроволочных сенсоров при адсорбции белка
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  77. Matyushkin I.V.*, Коробов С.В.*, Михайлов А.Н.**, Тетельбаум Д.И.**
    Cellular automata simulation of the processes of secondary defect formation under ion implantation
    *ОАО "НИИ молекулярной электроники" (Moscow), Russia
    **Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
  78. Mezhennyi M.V.*, Filatov M.Y.**, Роговский Е.С.*, Kobeleva S.P.***, Щемеров И.В.***, Соловьева Ю.С.***
    Преимущество использования высокоомных подложек БЗП кремния p-типа для изготовления pin-диодов
    *ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
    **ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
    ***НИТУ "МИСиС"
  79. Mezhennyi M.V.*, Падалица А.А.**, Мармалюк А.А.**, Акчурин Р.Х.***, Абдуллаев О.Р.****, Роговский Е.С.*, Курешов В.А.*****, Сабитов Д.Р.*****, Мазалов А.В.*****
    Разработка технологии создания эпитаксиальных структур нитрида галлия на кремнии для мощных СВЧ pin диодов
    *ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
    **ОАО "НИИ "Полюс" (Moscow), Russia
    ***Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
    ****ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
    *****ОАО "НИИ "Полюс" (Moscow), Russia
  80. Mitin D.*, Serdobintsev A.*
    Управление скоростью роста пленок аморфного кремния при синтезе методом магнетронного распыления
    *Саратовский государственный университет им.Н.Г.Чернышевского (Saratov), Russia
  81. NAGAYOSHI H.*, Diplas S.**, Walmsley J.C.**, Graff J.S.**, Chirvony V.***, Juan P.***, Ulyashin A.**
    Ultra Fine Silicon Nanowire Growth Using Hydrogen Radical Etching Reaction
    *Tokyo National College of Technology (Tokyo), Japan
    **SINTEF Materials and Chemistry (Oslo), Norway
    ***University of Valencia (Valencia), Spain
  82. Nagornyh S.*, Pavlenkov V.**, Михайлов А.Н.**, Belov A.**, Korolev D.**, Bobrov A.**, Pavlov D.**, Тетельбаум Д.И.**, Shek E.***
    Распределение структурных нарушений и центров дислокационной фотолюминесценции в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+
    *Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева (Nizhniy Novgorod), Russia
    **Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
    ***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (St. Petersburg), Russia
  83. Naida G.A.*, Prokofieva V.K.*
    The influence of defects of the silicon substrate to form AlN layers
    *Национальгный исследовательский университет"МИЭТ" (Moscow), Russia
  84. Naumov A.V.*, Anoshin K.E.**
    Cz-growth of low-dislocation Ge crystals
    *ОАО Научно-Производственное Предприятие КВАНТ (Moscow), Russia
    **ОАО Гиредмет (Moscow), Russia
  85. Nekhamin S.*
    Металлургические методы и оборудование для получения и очистки кремния
    *ООО "НПФ КОМТЕРМ" (Moscow), Russia
  86. Nekrasov A.V.*, Naumov A.V.**
    Polysilicon Market up to 2018
    *ОАО НПП КВАНТ (Moscow), Russia
    **ОАО Научно-Производственное Предприятие КВАНТ (Moscow), Russia
  87. Nemchinova N.V.*
    формирование интерметаллидов при кристаллизации кремниевого расплава
    *Национальный исследовательский Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia
  88. Nikiforov A.*, Tomofeev V.A.*, Tyes S.*, Pchelyakov O.P.*
    Surface structure of thin pseudomorphological GeSi films
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  89. Novikov V.A.*
    Effect of scan settings on value of roughness ​​in scaning probe microscopy
    *Tomsk State University (Tomsk), Russia
  90. Nussupov K.K.*, Beisenkhanov N.B.*, Zharikov S.K.*, Beisembetov I.K.*, Professor B.K.*, Akhmetov T.K.*, Seitov B.Z.*
    The formation of the SiC thin films on Si substrates by an ion beam sputtering
    *Казахстанско-Британский технический университет (Almaty), Kazakhstan
  91. Nussupov K.K.*, Beisenkhanov N.B.*, Zharikov S.K.*, Beisembetov I.K.*, Professor B.K.*, Bakranova D.I.*, Bakranov N.B.*
    The formation of aluminum and aluminum oxide nanofilms by magnetron sputtering
    *Казахстанско-Британский технический университет (Almaty), Kazakhstan
  92. Olimov L.O.*, Kurbonov M.**, Abdurakhmanov B.**
    Effect of switching of current direction and of voltage under heating of polycrystalline silicon structures doped by deep impurities
    *Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan
    **Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan
  93. Orlov O.M.*
    исследование конструктивно-технологических особенностей элементов встроенной энергонезависимой памяти, основанной на хранении заряда
    *НИИ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (Москва Зеленоград), Russia
  94. Pamirsky I.E.*
    Phytolithes as the source of microdimensional silicon dioxide for microelectronics
    *Институт геологии и природопользования ДВО РАН (Blagoveschensk), Russia
  95. Parashchenko M.A.*, Филиппов Н.С.*, Кириенко В.В.*, Романов С.И.*
    Electroosmotic pump based on asymmetric silicon microchannel membrane
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  96. Pavlov S.G.*, Abrosimov N.V.**, Deßmann N.***, Böttger U.*, Redlich B.****, van der Meer A.****, Zhukavin R.Kh.*****, Shastin V.N.*****, Irmscher K.**, Riemann H.**
    Interplay of inversion-less and inversion-based terahertz stimulated intracenter emission in isotopically enriched silicon doped by bismuth
    *Institute of Planetary Research, German Aerospace Center (Berlin), Germany
    **Leibniz Institute of Crystal Growth (Berlin), Germany
    ***Institut für Optik und Atomäre Physik, Technische Universität Berlin (Berlin), Germany
    ****FELIX Facility, Radboud University (Nijmegen), The Netherlands
    *****Institute for Physics of Semiconductors (N.Novgorod), Russia
  97. Pavlovska N.T.*, Litovchenko P.G.*, Pavlovskiy Y.V.**, Uhryn Y.O.**
    Magnetoresistance of neutron irradiation Si0,97Ge0,03 whiskers
    *Институт ядерных исследований НАН Украины (Киeв), Ukraine
    **Дрогобычский государственный педагогический университет (Дрогобыч), Ukraine
  98. Pavlyk B.*, Hrypa A.*
    The influence of X-ray irradiation on temperature sensors parameters based on p-n-junctions of Si transistors
    *Львовский национальный университет имени Ивана Франко (Lviv), Ukraine
  99. Pchelyakov O.P.*
    Molecular beam epitaxy of heterostructures GaAs on Si for photovoltaic
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  100. Pimenov V.G.*
    Methods of elemental analysis of high-purity silicon and its precursors
    *ФГБУН Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (Nizhniy Novgorod), Russia
  101. Poklonski N.A.*, Gorbachuk N.I.*, Shpakovski S.V.*, Melnikov A.**, Wieck A.***
    Raman scattering in p type silicon irradiated with 100 keV manganese ions
    *Белорусский государственный университет
    **Университет Торонто (Toronto), Canada
    ***Рурский университет (Бохум), Germany
  102. Poklonski N.A.*, Lastovskii S.B.**, Presting H.***, Sobolev N.A.****, Siahlo A.I.*
    Influence of electron irradiation on p-n junctions in Si-Ge superlattices
    *Белорусский государственный университет
    **Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению (Minsk), Belarus
    ***Daimler Research & Development Ulm (Ульм), Germany
    ****Universidade de Aveiro (Aveiro), Portugal
  103. Polikarpov M.A.*, Yakimov E.B.**
    Investigations of properties of silicon based semiconductor converter for beta-voltaic element
    *Национальный Исследовательский Центр "Курчатовский институт"
    **Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (Chernogolovka), Russia
  104. Rogozhina G.A.*, Rogozhin A.S.*, Latukhina N.V.*, Лизункова Д.А.*
    Фотоэлектрические свойства структур на базе пористого кремния
    *Самарский государственный университет (Samara), Russia
  105. Rysbaev A.S.*, Hujaniyozov J.B.**, Rahimov A.M.*, Fayzullaev R.F.*, Bekpo'latov I.R.*
    Features of spectrums of characteristic losses of energy of electrons are in the ionic implanted layers of silicon
    *Ташкентский Государственный Технический Университет (Tashkent), Uzbekistan
    **Ташкентский Государственный Технический Университет (Tashkent), Uzbekistan
  106. Rysbaev A.S.*, Hujaniyozov J.B.**, Rahimov A.M.*, Fayzullaev R.F.*, Bekpo'latov I.R.*, Rysbaeva Z.A.*
    Forming of nanosize thin-films of silicides on the surface of single-crystal of Si
    *Ташкентский Государственный Технический Университет (Tashkent), Uzbekistan
    **Ташкентский Государственный Технический Университет (Tashkent), Uzbekistan
  107. Semenova O.I.*, Козельская А.И.**, Спесивцев Е.В.***
    Механические напряжения в плазмохимическом SiNx:H
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
    **Institute of Strength Physics and Materials Science SB RAS (Tomsk), Russia
    ***United Institute of Semiconductor Physics SB RAS (Novosibirsk), Russia
  108. Sharafeeva I.*, Tiutrin A.A.*
    The investigations of impurity compounds formation during silicon melt crystallization
    *Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia
  109. Sivkov V.N.*, Lomov A.A.**, Некипелов С.В.***, Sivkov D.V.*, Петрова О.В.****
    NEXAFS and XPS studies of porous silicon
    *Коми научный центр Уральского отделения РАН (Syktyvkar), Russia
    **Физико-технический институт РАН (Moscow), Russia
    ***Сыктывкарский госуниверситет (Syktyvkar), Russia
    **** Коми научный центр УрО РАН (Syktyvkar), Russia
  110. Skupov A.V.*
    Моделирование накопления радиационных дефектов в приборных структурах с самоформирующимися наноостровками Ge(Si)/Si(001) при облучении нейтронами
    *ФГУП "ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова" (Nizhniy Novgorod), Russia
  111. Smirnov D.I.*, Gerasimenko N.N.**, Chamov A.A.***, Zablotsky A.V.****
    Investigation of dimensional effects on the mechanical and plastic properties of nanostructures
    *Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Russia
    **Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Russia
    ***ОАО "НИИМЭ и завод "Микрон" (Москва, Зеленоград), Russia
    ****Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет) (Dolgoprudnyy), Russia
  112. Smirnova T.P.*, Yakovkina L.V.*, Borisov V.O.*, Kichai V.N.*
    Оксиды редких и редкоземельных металлов-новые материалы наноэлектроники и оптоэлектроники
    *Институт неорганической химии СО РАН (Novosibirsk), Russia
  113. Sobolev N.*
    Кремниевые светодиоды для кремниевой оптоэлектроники
    *Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
  114. Sokolov L.V.*, Болховитянов Ю.Б.*, Derjabin A.S.*, Гутаковский А.К.**
    Краевые дислокации несоответствия в эпитаксиальных напряженных пленках полупроводников с решеткой сфалерита и алмаза: образование и участие в пластической релаксации
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
    **Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia
  115. Sorokin L.*, Аргунова Т.С.*, Abrosimov N.**
    Микроструктура кристаллов SiGe большого диаметра
    *Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
    **Leibniz Instutute for Crystal growth (Berlin), Germany
  116. Sorokin L.*, Калмыков А.Е.*, Мясоедов А.В.*, Бессолов В.Н.*, Кукушкин С.А.**
    Кремний - перспективный материал III-нитридной электроники
    *Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
    **Институт проблем машиноведения РАН (St. Petersburg), Russia
  117. Steinman E.A.*, Orlov L.K.**
    Особенности структуры и электронные свойства гетерокомпозиций 3C–SiC/SiGeC/Si(100)
    *Институт физики твердого тела РАН (Chernogolovka), Russia
    **Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
  118. Stepanov A.L.*
    Синтез пористого кремния с наночастицами серебра методом низкоэнергетической ионной имплантации
    *Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН (Kazan), Russia
  119. Suvorov E.V.*, Smirnova I.A.*
    Искажения рентген топографических изображений дислокаций в результате воздействия пространственно протяженных деформаций в монокристаллах кремния.
    *Институт физики твердого тела РАН (Chernogolovka), Russia
  120. Tereshchenko A.N.*, Steinman E.A.*, Мазилкин А.А.*, Khorosheva M.*, Kononchuk O.**
    Структура и электронные свойства дефектов на границе соединенных пластин Si (001)
    *Институт физики твердого тела РАН (Chernogolovka), Russia
    **SOITEC (Гренобль), France
  121. Timofeev A.K.*, Nemchinova N.V.*
    Новый подход к изучению процесса выплавки кремния
    *Национальный исследовательский Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia
  122. Tiutrin A.A.*
    Acid-ultrasound silicon refining when technology carbothermal
    *Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia
  123. Tynyshtykbaev K.B.*
    Высокоэффективные пористые кремниевые фотоэлектроды
    *Физико-технический институт (Almaty), Kazakhstan
  124. Tyurin A.I.*, Shuvarin I.A.*, Pirozhkova T.S.*
    Conditions viscous-brittle fracture silicon and germanium at micro- and nanoindentation
    *НОЦ «Нанотехнологии и наноматериалы» ТГУ имени Г.Р.Державина (Tambov), Russia
  125. Vdovin V.I.*, Fedina L.I.*, Гутаковский А.К.**, Shek E.***, Sobolev N.****
    Formation of structural defects in Si wafers irradiated with low-energy electron beam
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
    **Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia
    ***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (St. Petersburg), Russia
    ****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
  126. Verezub N.*, Prostomolotov A.I.**
    Способ снижения напряжений в большегрузных монокристаллах кремния при выращивании методом Чохральского
    *Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (Moscow), Russia
    **Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (Moscow), Russia
  127. Verezub N.*, Волошин А.Э.**, Prostomolotov A.I.***
    Анализ применимости аналитических моделей для расчета эффективного коэффициента распределения примеси
    *Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (Moscow), Russia
    ** Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт кристаллографии им. А.В. Щубникова Российской академии наук (Moscow), Russia
    ***Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (Moscow), Russia
  128. Vikulov V.*, Коробцов В.В.*, Балашев В.В.*, Писаренко Т.А.*, Димитриев А.А.*
    Особенности электрического транспорта в гибридных структурах Fe3O4/SiO2/Si с разным типом проводимости подложки
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
  129. Vladimirov V.M.*, Markov V.V.**, Shepov V.N.*
    «Rometer» and «Taumeter-2M» -computer-aided resistivity and minority carrier lifetime meters for semiconductors
    *Научно-производственная фирма "Электрон" (Krasnoyarsk), Russia
    **Krasnoyarsk Scientific Center of SB RAS (Krasnoyarsk), Russia
  130. Yarykin N.*
    Copper in silicon: Complexes and interaction with radiation defects
    *Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Chernogolovka), Russia
  131. Yevdokimov I.I.*, Pimenov V.G.*
    Atomic emission and atomic absorption analysis of high-purity silicon using impurities concentration by matrix fluoridation and distillation in autoclave
    *ФГБУН Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (Nizhniy Novgorod), Russia
  132. Yolkin K.*, Doshlov O.I.**, Зельберг Б.И.***, Яковлев С.П.****, Балакирев С.В.****, Кондратьев В.В.*****
    СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПОЛУЧЕНИЯ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
    *ООО «РУСАЛ Инженерно-технологический центр» (Krasnoyarsk), Russia
    **Национальный исследовательский Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia
    ***ООО «Спецстройинвест» (Irkutsk), Russia
    ****ООО «Карборундум Технолоджис» (St. Petersburg), Russia
    *****НИУ Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia
  133. Yolkin K.*, Яковлев С.П.**, Ёлкин Д.К.***, Молявко А.А.***
    ОБ ЭФФЕКТИВНЫХ ТЕХНОЛОГИЯХ ПЕРЕДЕЛА ТЕХНИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
    *ООО «РУСАЛ Инженерно-технологический центр» (Krasnoyarsk), Russia
    **ООО «Карборундум Технолоджис» (St. Petersburg), Russia
    ***ЗАО «Кремний» (Шелехов), Russia
  134. Yu Y.*, Semenova O.I.**
    Strained Silicon in Electronics and Photonics
    *Institute of Semiconductors CAS (Pekin), China
    **A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  135. Yurasov D.V.*, Drozdov M.N.*, Shaleev M.V.*, Yunin P.A.*
    Formation of SiGe heterostructures with high Ge content and their selective doping by segregating impurities
    *Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
  136. Yurasov D.V.*, Новиков А.В.**, Shaleev M.V.*, Yunin P.A.*
    Influence of the sign of elastic strain on growth of SiGe heterostructures
    *Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
    **Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
  137. Zakirov R.*, Парфенов О.Г.*
    Восстановление тетрахлорида кремния субхлоридом алюминия
    *Institute of Chemistry and Chemical Technology of SB RAS (Krasnoyarsk), Russia
  138. Zyulkov I.J.*, Hikavyy A.**
    Strained SiGe layers growth with digermane/disilane precursors combination
    *ОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники" (Moscow), Russia
    **Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC) (Лёвен), Belgium
  139. Аскаров Ш.И.*, Шукурова Д.*
    Высокочувствительные фотоприемники на базе кремния, содержащие наноразмерные многозарядные примесные кластеры марганца
    *Ташкентский Государственный технический университет (Tashkent), Uzbekistan
  140. Астров Ю.А.*, Шуман В.Б.*, Лодыгин А.Н.*, Порцель Л.М.*, Шастин В.Н.**, Павлов С.Г.***, Deßmann N.****, Abrosimov N.V.*****, Козлов В.А.******, Hübers H.W.***
    Легирование кремния донорными центрами магния
    *Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
    **Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
    ***Institute of Planetary Research, German Aerospace Center; Institut für Optik und Atomäre Physik, Technische Universität Berlin (Berlin), Germany
    ****Institut für Optik und Atomäre Physik, Technische Universität Berlin (Berlin), Germany
    *****Leibniz Institute of Crystal Growth (Berlin), Germany
    ******НПО ФИД-Техника (St. Petersburg), Russia
  141. Баталина А.В.*, Метлов В.А.**, Романов А.А.**, Чумак В.Д.***
    Практическое применение метода фото-ЭДС для оценки качества КНС-структур
    *Зеленоград (Moscow), Russia
    **ОАО "Ангстрем" (Zelenograd), Russia
    ***ЗАО "Эпиэл" (Zelenograd), Russia
  142. Бердников В.С.*, Антонов П.В.*
    Сопряженный конвективный теплообмен в методе Бриджмена в режимах равномерного и реверсивного вращения тигля
    *Kutateladze Institute of Thermophysics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  143. Брылевский В.И.*, Грехов И.В.*, Брунков П.Н.*, Rodin P.B.**, Смирнова И.А.**
    Influence of Silicon Growth Method and Structure Doping Profile on Subnanosecond Avalanche Switching of High Voltage Diodes
    *Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) (St. Petersburg), Russia
    **Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
  144. Велиханов А.Р.*
    Пластичность монокристаллов кремния в условиях совместного воздействия теплового поля и электрического тока
    *ФГБУН Институт физики ДагНЦ РАН им. Амирханова (Mahachkala), Russia
  145. Галкин Н.Г.*, Безбабный Д.А.*, Чернев И.М.*, Nemes-Incze P.**, Dosza L.**, Pecz B.**, Гутаковский А.К.***, Kudrawiec R.****
    Структура и свойства полупроводниковых пленок силицидов кальция и двойных гетероструктур на их основе на Si(111)
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
    **Institute of of Material Science and Technical Physics HAS (Budapest), Hungary
    ***Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia
    ****Institute of Physics of Wroclaw Technological University (Wroclaw), Poland
  146. Галкин Н.Г.*, Чернев И.М.*, Shevlyagin A.V.*, Гутаковский А.К.**
    Пленки MnSi1.75-x на Si(111) и двойные гетероструктуры Si/ MnSi1.75-x /Si(111): формирование, структура и свойства
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
    **Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia
  147. Гисматулин А.А.*, Kamaev G.N.*
    Электрофизические свойства наноструктур Si/SiO2, полученных методом прямого сращивания
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  148. Гусев О.Б.*, Андреев Б.А.**, Ershov A.V.***, Grachev D.A.***, Яблонский А.****
    Экспериментальное наблюдение фотолюминесценции автолокализованных экситонов на поверхностных Si-Si димерах нанокристаллов Si в матрице SiO2
    *ФТИ им.А.Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
    **Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
    ***Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
    ****Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
  149. Димитриев А.А.*, Балашев В.В.*, Писаренко Т.А.*, Vikulov V.*, Коробцов В.В.*
    Эффект низкотемпературного переключения канала проводимости в гибридных структурах Fe3O4/SiO2/n-Si
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
  150. Елисеев И.А.*, Непомнящих А.И.**
    Рафинирование металлургического кремния увлажнённым паром в условиях заводского эксперимента
    *A.P.Vinogradov Institute of Geochemistry of SB RAS (Irkutsk), Russia
    **Институт геохимии СО РАН (Irkutsk), Russia
  151. Ермакова Е.Н.*, Румянцев Ю.М.*, Kosinova M.*
    Оптические и механические свойства пленок SiCxNy, осажденных из триметилфенилсилана
    *Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  152. Жураев Ж.У.*, Кадыров А.Л.*
    Электрофизические свойства вторичного литого поликристаллического кремния
    *Худжандский государственный университет имени академика Б. Гафурова (Худжанд), Tadjikistan
  153. Иванова М.М.*, Киселев В.К.*, Качемцев А.Н.*, Лебедева Ю.С.*, Yurasov D.V.**
    Проблемы обеспечения радиационной стойкости оптопар на кремнии
    *ФГУП "ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова" (Nizhniy Novgorod), Russia
    **Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
  154. Иванова М.М.*, Киселев В.К.*, Качемцев А.Н.*, Филатов Д.О.**, Guseinov D.V.**, Шенгуров В.Г.**, Yurasov D.V.***
    Исследование радиационной стойкости pin-фотодетекторов на базе соединений SiGe
    *ФГУП "ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова" (Nizhniy Novgorod), Russia
    **Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
    ***Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
  155. Илиев Х.М.*, Абдурахманов Б.А.*, Саитов Э.Б.*, Мавлонов Г.Х.*, Мавлянов А.Ш.*, Sodikov U.X.**
    Физические основы формирования нанокластеров примесных атомов в полупроводниках
    *Ташкентский государственный технический университет (Tashkent), Uzbekistan
    **Ташкентский государственный технический университет (Tashkent), Uzbekistan
  156. Карпенко А.В.*
    Углеродные материалы для использования в процессе выращивания монокристаллов кремния по методу Чохральского
    *Запорожская государственная инженерная академия (Запорожье), Ukraine
  157. Касмамытов Н.К.*, Makarov V.P.**, Ласанху К.А.*, Асанов Б.У.*
    Наноструктурированные материалы, полученные на основе отходов производства монокремния
    *Институт физико-технических проблем и материаловедения (Bishkek), Kyrgyzstan
    **Кыргызско-Российский Славянский университетй (Bishkek), Kyrgyzstan
  158. Кириенко В.В.*, Армбристер В.А.*, Блошкин А.А.*, Якимов А.И.*
    Внутризонные оптические переходы дырок в напряженных квантовыхямах SiGe
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  159. Котерева Т.В.*, Гавва В.А.*, Гусев А.В.*
    Diagnostics of impurity composition of high-pure monosilane by analysis results of the control silicon monocrystal.
    *Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
  160. Коюда Д.А.*, Турищев С.Ю.**, Терехов В.А.***, Спирин Д.Е.*, Паринова Е.В.****, Нестеров Д.Н.*, Карабанова И.А.*****, Ershov A.V.*****, Машин А.И.*****, Domashevskaya E.P.******
    Характеризация синхротронным методом XANES светоизлучающих многослойных нанопериодических структур, содержащих нанокристаллы Si
    *ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
    **ФГБОУ ВПО "Воронежский государственный университет" (Voronezh), Russia
    ***ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
    ****ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
    *****Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
    ******Воронежский государственный университет (Voronezh), Russia
  161. Ларюшкин А.С.*, Filatov M.Y.*, Antonov V.A.*
    Development series ultra stable precision silicon diodes with increasing the time and thermal stability
    *ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
  162. Леонова М.С.*
    Обработка результатов испытаний по окомкованию шихты методом планирования эксперимента
    *НИ ИрГТУ (Irkutsk), Russia
  163. Литвиненко Т.Н.*
    Использование импульсного воздействия высокоинтенсивного потока энергии для дробления кристаллического кремния
    *Запорожская государственная инженерная академия (Запорожье), Ukraine
  164. Миловзоров Д.Е.*
    Влияние фторидов кремния на фотолюминесценцию пленок нанокристаллического кремния (111)
    *РГРУ (Moscow), Russia
  165. Мирбабаев М.М.*, Аскаров Ш.И.*
    Влияние наномолекул селена на эффективность переобразования солнечной энергии в кремниевых элементах с p-n переходом
    *Ташкентский Государственный технический университет (Tashkent), Uzbekistan
  166. Нежданов А.В.*, Машин А.И.*, Ershov A.V.*, Чевелева Е.А.*
    Оптические свойства систем SiOx:SiO2 на поверхности ВОПГ
    *Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
  167. Непомнящих А.И.*, Пресняков Р.В.*, Антонов П.В.**, Бердников В.С.**
    Выращивание мультикристаллического кремния на основе металлургического кремния высокой чистоты
    *Институт геохимии СО РАН (Irkutsk), Russia
    **Kutateladze Institute of Thermophysics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  168. Никулина Л.Д.*, Сысоев С.В.*, Цырендоржиева И.П.**, Гостевский Б.А.**, Рахлин В.И.**, Kosinova M.*, Кузнецов Ф.А.*
    Влияние структурных особенностей кремний- и борорганических соединений на физико-химические свойства прекурсоров для синтеза пленок SiCxNy и SiBxCyNz
    *Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry of SB RAS (Novosibirsk), Russia
    **Irkutsk Institute of Chemistry of SB RAS (Irkutsk), Russia
  169. Орлов В.И.*, Feklisova O.V.**, Yakimov E.B.***
    Влияние меди на рекомбинационную активность протяжённых дефектов в кремнии
    *Институт физики твердого тела РАН (Chernogolovka), Russia
    **Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Chernogolovka), Russia
    ***Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (Chernogolovka), Russia
  170. Орлов В.И.*, Feklisova O.V.**, Yakimov E.B.***
    Investigations of extended defect properties in plqastically deformed Si by the EBIC and LBIC methods
    *Институт физики твердого тела РАН (Chernogolovka), Russia
    **Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Chernogolovka), Russia
    ***Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (Chernogolovka), Russia
  171. Орлов С.Н.*, Timoshenkov S.P.**, Vinogradov A.I.**, Khomakov I.A.***, Pushkina A.A.***
    Design of non-volatile MEMS switch
    *ОАО "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (Moscow), Russia
    **National Research University of Electronic Technology / MIET (Moscow), Russia
    ***Molecular Electronics Research Institute JSC (Mocsow), Russia
  172. Парфеньева А.В.*, Румянцев А.М.*, Li G.**, Astrova E.V.*
    Кремниевые высокоаспектные микроструктуры для анодов литий - ионных аккумуляторов
    *ФТИ им. Иоффе (С.Петербург), Russia
    **Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
  173. Плюснин Н.И.*
    Металлические наномультислои на кремнии: рост, свойства и применение
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
  174. Плюснин Н.И.*
    Формирование и электронно-спектроскопический контроль атомно-тонких пленок
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
  175. Потапов А.А.*
    Природа и механизм проводимости полупроводников
    *пенсионер (Irkutsk), Russia
  176. Потапов А.А.*
    Физические процессы в полупроводниковых приборах
    *пенсионер (Irkutsk), Russia
  177. Путря М.Г.*, Панкратов О.В.*, Голишников А.А.**, Рыбачек Е.Н.**
    Метод формирования кремниевых нанопроволочных ионно-чувствительных транзисторных структур
    *Национальный исследовательский университет МИЭТ (Moscow), Russia
    **Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ (Moscow), Russia
  178. Пушкарев Р.*, Файнер Н.*, Румянцев Ю.*, Максимовский Е.*
    Synthesis of Fe-Si-CN Layers by thermal vapor decomposition of organosilicon compound and the ferrocene
    *Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  179. Румянцев Ю.*, Плеханов А.*, Файнер Н.*, Максимовский е.*, Шаяпов В.*, Юшина И.*
    Hydrogenated silicon oxycarbonitride films - promising materials for opto - and nanoelectronics
    *Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  180. Смагина Ж.В.*, Dvurechenskii A.*, Зиновьева А.Ф.*, Степина Н.П.*, Новиков П.Л.*, Kuchinskaya P.*
    Линейные цепочки квантовых точек, полученные с помощью ионного облучения
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  181. Смирнов Р.В.*, Бибиков М.Б.*, Московский А.С.*
    Silicon production by monoxide reduction in plasma
    *НИЦ Курчатовский институт (Moscow), Russia
  182. Соловьева Ю.С.*, Schemerov I.V.*, Anfimov I.M.*, Кобелева С.П.*
    О применимости СВЧ метода для определения времени жизни неравновесных носителей заряда на непассивированных образцах монокристаллического кремния
    *НИТУ "МИСиС"
  183. Суздальцев Е.И.*
    Аморфный диоксид кремния. Способы получения и области применения
    *ОАО "ОНПП "Технология" (Obninsk), Russia
  184. Терехов В.А.*, Лазарук С.К.**, Турищев С.Ю.***, Занин И.Е.****, Usoltseva D.****, Anisimov A.*****, Степанова А.А.****
    Особенности атомной и электронной структуры нанокомпозитов Al-Si
    *ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
    **Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Minsk), Belarus
    ***ФГБОУ ВПО "Воронежский государственный университет" (Voronezh), Russia
    ****ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
    *****ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
  185. Терехов В.А.*, Паринова Е.В.**, Ундалов Ю.К.***, Трапезникова И.Н.***, Теруков Е.И.***
    Определение степени окисления кремния и содержания кластеров кремния в пленках SiOx методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии
    *ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
    **ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
    ***Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
  186. Турищев С.Ю.*, Терехов В.А.**, Анисимов А.В.***, Чувенкова О.А.***, Юраков Ю.А.***, Спирин Д.Е.****, Паринова Е.В.*****, Коюда Д.А.****, Тонких А.******
    Атомное и электронное строение эпитаксиальных нанослоев кремний-олово на кремнии по данным синхротронных исследований
    *ФГБОУ ВПО "Воронежский государственный университет" (Voronezh), Russia
    **ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
    ***ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
    ****ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
    *****ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
    ******Martin Luther University Halle-Wittenberg (Галле ), Germany
  187. Федоров С.Н.*, Nemchinova N.V.**
    Структура программы для расчета материального баланса выплавки кремния в руднотермических печах
    *Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia
    **Национальный исследовательский Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia
  188. Федоров С.Н.*, Бельский С.С.*
    Анализ физико-химических моделей получения кремния в руднотермических печах
    *Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia
  189. Фрицлер К.Б.*, Труханов Е.М.*, Калинин В.В.*
    Исследование дефектной структуры монокристаллов БЗП кремния на различных этапах кристаллизации
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  190. Фрицлер К.Б.*, Чистохин И.Б.*, Fomin B.I.*, Калинин В.В.*, Pchelyakov O.*
    Эффект геттерирования при изготовлении pin фотодиодов на высокомном кремнии
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  191. Шагаров Б.А.*, Краснобаев Ю.В.**
    Алгоритм работы солнечной батареи в точке оптимальной мощности
    *Общество с ограниченной отвественностью "ГЕЛИОЛАБ" (Krasnoyarsk), Russia
    **Siberian Federal University (Krasnoyarsk), Russia
  192. Шагаров Б.А.*, Логинов Ю.Ю.**
    Инновационные технологии солнечной энергетики
    *Общество с ограниченной отвественностью "ГЕЛИОЛАБ" (Krasnoyarsk), Russia
    **Сибирский аэрокосмический университет (Krasnoyarsk), Russia
  193. Шагаров Б.А.*, Шелепов В.А.**
    Эксперсс диагностика кремниевых солнечных батарей
    *Общество с ограниченной отвественностью "ГЕЛИОЛАБ" (Krasnoyarsk), Russia
    **Сибирский аэрокосмический университет (Krasnoyarsk), Russia
  194. Шагаров Б.А.*, Шелепов В.А.**
    Экспресс контроль ФЭП для космоса
    *Общество с ограниченной отвественностью "ГЕЛИОЛАБ" (Krasnoyarsk), Russia
    **Сибирский аэрокосмический университет (Krasnoyarsk), Russia
  195. Шамирзаев Т.С.*, Галкин Н.Г.**, Shevlyagin A.V.**, Саранин А.А.**, Латышев А.В.*
    Светодиодные 1,5 мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+-Si/НК β-FeSi2/n-Si
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
    **Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
  196. Шварцман Л.Я.*
    Некоторые аспекты современной технологии полупроводникового кремния
    *Activ Solar Gmbh, Vienna, Austria (Запорожье), Ukraine
  197. Шуман В.Б.*, Лодыгин А.Н.*, Порцель Л.М.*
    Взаимодействие неравновесных междоузельных атомов кремния с примесью серы при высоких температурах
    *Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
  198. Якимов А.И.*, Кириенко В.В.*, Армбристер В.А.*
    Повышение эффективности излучательной рекомбинации в слоях квантовых точек Ge/Si после обработок в водородной плазме
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia