Спесивцев, Евгений Васильевич
United Institute of Semiconductor Physics SB RAS
Russia, 630090, Novosibirsk, pr. ac. Lavrentieva, 13
Phone: +7(383) 333-39-50
Report
- Semenova O.I.*, Козельская А.И.**, Спесивцев Е.В.***
Механические напряжения в плазмохимическом SiNx:H
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
**Institute of Strength Physics and Materials Science SB RAS (Tomsk), Russia
***United Institute of Semiconductor Physics SB RAS (Novosibirsk), Russia