Pchelyakov, Oleg
A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS
http://www.isp.nsc.ru/
Russia, 630090, Novosibirsk, Ac. Lavrentiev Ave, 13
Phone: +7(383) 333-27-66, Fax: +7(383) 333-27-71
Report
- Фрицлер К.Б.*, Чистохин И.Б.*, Fomin B.I.*, Калинин В.В.*, Pchelyakov O.*
Эффект геттерирования при изготовлении pin фотодиодов на высокомном кремнии
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia