Back
Брылевский, Виктор Иванович
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)
Russia, St. Petersburg
Report
Брылевский В.И.
*
,
Грехов И.В.
*
,
Брунков П.Н.
*
,
Rodin P.B.
**
,
Смирнова И.А.
**
Influence of Silicon Growth Method and Structure Doping Profile on Subnanosecond Avalanche Switching of High Voltage Diodes
*
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) (St. Petersburg), Russia
**
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
To participants list