Back
Zyulkov, Ivan Jur'evich
Design Engineer
ОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники"
Russia, Moscow
Report
Zyulkov I.J.
*
,
Hikavyy A.
**
Strained SiGe layers growth with digermane/disilane precursors combination
*
ОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники" (Moscow), Russia
**
Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC) (Лёвен), Belgium
To participants list