Back
Baranov, Gleb Vladimirovich
Engineer
ОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники"
Russia, Moscow
Report
Baranov G.V.
*
,
Italyantsev A.G.
**
,
Orlov O.M.
***
,
Peskov S.G.
****
Features of Transient Enhanced Arsenic Diffusion in Si/SiO2 structure
*
ОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники" (Moscow), Russia
**
ОАО "НИИ Молекулярной Электроники" (Moscow), Russia
***
НИИ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (Москва Зеленоград), Russia
****
ОАО "НИИМЭ и Микрон" (Moscow), Russia
To participants list