Роговский, Евгений Станиславович

Report

• Mezhennyi M.V.^*, Filatov M.Y.^**, Роговский Е.С.^*, Kobeleva S.P.^***, Щемеров И.В.^***, Соловьева Ю.С.^***
  Преимущество использования высокоомных подложек БЗП кремния p-типа для изготовления pin-диодов
  ^*ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
  ^**ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
  ^***НИТУ "МИСиС"