Back

Галкин, Николай Геннадьевич

Deputy Director on science, D.Sc. in Physics and Mathematics

Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН
http://iacp.dvo.ru
Russia, Vladivostok, г.Владивосток ул.Радио 5

Reports list

  1. Guralnik A.S.*, Vavanova S.V.*, Доценко С.А.*, Галкин Н.Г.*, Lin K.**
    Formation, Morphology and Magnetic Properties of Fe3Si/ε-FeSi/Fe3Si/Si(111) structure
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
    **Национальный университет Чунг Шинг (Taichung), Taiwan
  2. Galkin K.N.*, Chernev I.M.*, Shevlyagin A.V.*, Галкин Н.Г.*
    Formation, optical and electrical properties of semiconductor films of magnesium stannide on Si(111)
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
  3. Chusovitin E.A.*, Shevlyagin A.V.*, Goroshko D.*, Галкин Н.Г.*, Гутаковский А.К.**
    Phenomenon of b-FeSi2 Nanocrystallites Emersion During Si Layer Overgrowth: Experimental Facts and a Model
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
    **Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia
  4. Chusovitin E.A.*, Bozhenko M.V.*, Galkin K.N.*, Rasin A.B.*, Галкин Н.Г.*, Yan D.T.**, Astashinskiy V.M.***, Kuz'mitskiy A.M.***
    Photoluminescence Properties of Porous Silicon Formed on Plasma Treated Silicon Wafers
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
    **Дальневосточный государственный университет путей сообщения (Khabarovsk), Russia
    ***Институт тепло- и массообмена им. А.В.Лыкова НАН Беларуси (Minsk), Belarus
  5. Галкин Н.Г.*, Чернев И.М.*, Shevlyagin A.V.*, Гутаковский А.К.**
    Пленки MnSi1.75-x на Si(111) и двойные гетероструктуры Si/ MnSi1.75-x /Si(111): формирование, структура и свойства
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
    **Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia
  6. Шамирзаев Т.С.*, Галкин Н.Г.**, Shevlyagin A.V.**, Саранин А.А.**, Латышев А.В.*
    Светодиодные 1,5 мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+-Si/НК β-FeSi2/n-Si
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
    **Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
  7. Галкин Н.Г.*, Безбабный Д.А.*, Чернев И.М.*, Nemes-Incze P.**, Dosza L.**, Pecz B.**, Гутаковский А.К.***, Kudrawiec R.****
    Структура и свойства полупроводниковых пленок силицидов кальция и двойных гетероструктур на их основе на Si(111)
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
    **Institute of of Material Science and Technical Physics HAS (Budapest), Hungary
    ***Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia
    ****Institute of Physics of Wroclaw Technological University (Wroclaw), Poland
  8. Galkin K.N.*, Галкин Н.Г.*, Ховайло В.В.**, Усенко А.**, Воронин А.**
    Формирование и свойства объемных кремниевых структур с внедренными кристаллитами дисилицидов Fe и Cr
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
    **НИТУ "МИСиС"
  9. Goroshko D.*, Galkin K.N.*, Dosza L.**, Галкин Н.Г.*
    Формирование и термоэлектрические свойства кремниевых нанокомпозитов на основе дисилицида хрома и магния
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
    **Institute of of Material Science and Technical Physics HAS (Budapest), Hungary

To participants list