Reports list
- Abdurakhmanov B.*, Ashurov K.B.**, Adilov M.*, Kuchkanov S.K.***, Maksimov S.*, Oksengendler B.L.***
Role of resonant tunneling in enhancement of thermoelectric properties of granular siliconPERTIES OF GRANULAR SILICON
*Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan
**Институт ионно- плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбе (Tashkent), Uzbekistan
***Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan - Abdurakhmanov B.*, Ashurov K.B.**, Adilov M.*, Kurbonov M.*
Application of technical silicon for creation of thermovoltaic converters
*Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan
**Институт ионно- плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбе (Tashkent), Uzbekistan - Abdurakhmanov B.*, Ashurov K.B.**, Kuchkanov S.K.***, Maksimov S.*, Nimatov S.J.***
Thermovoltaic energy converters based on silicon p-n structures and on films of solid solutions of Si-Ge-Ti on silicon
*Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan
**Институт ионно- плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбе (Tashkent), Uzbekistan
***Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan - Abrosimov N.*
Моноизотопный монокристаллический кремний: получение и перспективы применения
*Leibniz Instutute for Crystal growth (Berlin), Germany - Akimov V.V.*, Pescherova S.M.**
Speciation of doping elements in silicon (analysis of microimpurity trapping effects on the defects of structure) Species of doping elements in silicon (analysis of microimpurity trapping effects by structure defects)
*ИХГ СО РАН (Irkutsk), Russia
**Институт геохимии СО РАН (Irkutsk), Russia - Alimov N.E.*, Abdurasulova S.O.**, Imomova S.M.**, Otajonov S.M.**, Yakubova S.К.**
Sensor in a broad wavelength range of light based on CdTe-SiO2-Si-Al with deep impurity levels
*Ферганский государственный университет (fergana), Uzbekistan
**Fergana State University (fergana), Uzbekistan - Arzumanyan H.V.*, Kolpachev A.B.**
The electronic states in the semiconductor gap of silicon caused by substitutional impurities of titanium and carbon
*Южный Федеральный Университет (Ростов на Дону), Russia
**Таганрогский технологический институт Южного Федерального университета (Rostov), Russia - Atakulov S.B.*, Abdullayeva G.B.*, Isroilova U.A.*, Atakulov B.A.*
Semiconductor silicon diodes with negative resistance compensated gold
*Fergana State University (fergana), Uzbekistan - Azhdarov H.K.*, Aghamaliyev Z.A.*, Zakhrabekova Z.M.*, Kazimova V.K.*
Complexly-doped Ge<Ga,Sb,Ni> Crystals
*Институт Физики НАН Азербайджана (Baku), Azerbaijan - Baidakova N.*, Новиков А.В.**, Shaleev M.V.***, Yurasov D.V.***
Оптические свойства Ge(Si) наноостровков, заключенных между напряженными слоями Si, сформированных на подложках sSOI и релаксированных SiGe буферах
*Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
**Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
***Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia - Baranov G.V.*, Italyantsev A.G.**, Orlov O.M.***, Peskov S.G.****
Features of Transient Enhanced Arsenic Diffusion in Si/SiO2 structure
*ОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники" (Moscow), Russia
**ОАО "НИИ Молекулярной Электроники" (Moscow), Russia
***НИИ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (Москва Зеленоград), Russia
****ОАО "НИИМЭ и Микрон" (Moscow), Russia - Batalov R.I.*
Pulsed modification of germanium films on silicon, sapphire and quartz substrates: the structure and optical properties
*Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН (Kazan), Russia - Berdnikov V.S.*, Grigorieva A.M.*, Mitin K.*, Клещенок М.С.*
Поля температуры в кристаллах различной теплопроводности и размеров в методе Чохральского при теплоотдаче с их поверхности в режимах свободной конвекции
*Kutateladze Institute of Thermophysics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Berdnikov V.S.*, Mitin K.*
Исследования относительной роли механизмов теплоотдачи на поля температуры в кристаллах в методе Чохральского
*Kutateladze Institute of Thermophysics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Berdnikov V.S.*, Mitin K.*, Митина А.*
Поле температуры в U-образном кремниевом стрежне, разогреваемом электрическим током, в режиме конвективной теплоотдачи
*Kutateladze Institute of Thermophysics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Berdnikov V.S.*, Винокуров В.А.*, Винокуров В.В.*, Марков В.А.*
Нестационарные режимы свободной и смешанной конвекции в методе Чохральского
*Kutateladze Institute of Thermophysics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Berdnikov V.S.*, Клещенок М.С.**, Митин К.А.**
Влияние геометрии на поля температуры в кристаллах кремния в режимах радиационно-конвективной тплоотдачи
*Kutateladze Institute of Thermophysics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
**Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе, Новосибирский Государственный университет (Novosibirsk), Russia - Bezrodnyy D.*, Filimonov S.N.*, Эрвье Ю.Ю.*
Computer simulations of layer-by-layer to multilayer growth mode transition of 3D island faces
*Tomsk State University (Tomsk), Russia - Bondarenko A.S.*, Vyvenko O.*, Kononchuk O.**
Luminescence of dislocation networks at bonded silicon wafers interface induced by electrical refilling of charge carrier traps
*НИИ физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет (St. Petersburg), Russia
**SOITEC (Гренобль), France - Borisov V.C.*, Стребков Д.С.**
Solar silicon modules on the basis of vertical multi-junction solar cells
*Всероссийский институт электрификации сельского хозяйства (Moscow), Russia
**ГНУ ВИЭСХ (Moscow), Russia - Bozhko S.I.*
Электронный рост наноостровков Pb на поверхности Si(7 7 10)
*Институт физики твердого тела РАН (Chernogolovka), Russia - Bozhko S.I.*, Ionov A.*
Поверхности Si(hhm): полигон для создания наноструктур
*Институт физики твердого тела РАН (Chernogolovka), Russia - Chusovitin E.A.*, Bozhenko M.V.*, Galkin K.N.*, Rasin A.B.*, Галкин Н.Г.*, Yan D.T.**, Astashinskiy V.M.***, Kuz'mitskiy A.M.***
Photoluminescence Properties of Porous Silicon Formed on Plasma Treated Silicon Wafers
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
**Дальневосточный государственный университет путей сообщения (Khabarovsk), Russia
***Институт тепло- и массообмена им. А.В.Лыкова НАН Беларуси (Minsk), Belarus - Chusovitin E.A.*, Shevlyagin A.V.*, Goroshko D.*, Галкин Н.Г.*, Гутаковский А.К.**
Phenomenon of b-FeSi2 Nanocrystallites Emersion During Si Layer Overgrowth: Experimental Facts and a Model
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
**Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia - Demidov Y.A.*, Чаплыгин Ю.А.*, Shevyakov V.I.**, Belov A.N.**, Golishnikov A.A.***
Особенности нанопрофилирования кремния плазменным травлением через твердую маску пористого оксида алюминия
*МИЭТ (Moscow), Russia
**Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Moscow), Russia
***Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ (Moscow), Russia - Demin V.*, Ващенко Сергей Петрович С.П.**
применение электродуговых плазмотронов в новых технологиях получения поликремния
*Институт неорганической химии СО РАН,Новосибирск (Novosibirsk), Russia
**Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, Новосибирск (Novosibirsk), Russia - Denisov S.A.*, Matveev S.A.*, Чалков В.Ю.*, Филатов Д.О.*, Машин А.И.*, Круглов А.В.*, Трушин В.Н.*, Guseinov D.V.*, Шенгуров В.Г.*, Иванова М.М.**
Гетероэпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки
*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
**ФГУП "ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова" (Nizhniy Novgorod), Russia - Denisov S.A.*, Гавва В.А.**, Гусев А.В.**, Drozdov M.N.***, Ezhevskii A.*, Деточенко А.П.*, Шенгуров В.Г.*
Рост эпитаксиальных слоев моноизотопного кремния методом сублимационной моле-кулярно-лучевой эпитаксии
*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
**Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
***Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia - Dmitrievskiy A.a.*, Efremova N.Y.*, Guseva D.G.*, Druzhkin A.V.*, Martus A.S.*
Micro- and nanohardness of silicon porous layers
*Тамбовский государственный университет имени Г.Р. Державина (Tambov), Russia - Eremeev V.S.*, Kirilin A.A.*, Shevchenko M.A.*, Shuvalov S.P.*, Strumeliak A.V.*, Bulatov Y.N.*, Shakirov V.A.*
Development of technical solutions to improve the efficiency of solar power stations
*Братский государственный университет (Bratsk), Russia - Ezhevskii A.*, Guseinov D.V.*, Soukhorukov A.V.*, Popkov S.A.*, Konakov A.A.*, Abrosimov N.**, Riemann H.***
Эффекты примесного спин-зависимого рассеяния и спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии, легированном висмутом
*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
**Leibniz Instutute for Crystal growth (Berlin), Germany
***Leibniz Institute of Crystal Growth (Berlin), Germany - Fedorov A.M.*, Непомнящих А.И.**
Quartz resources to produce silicon in Russia.
*A.P.Vinogradov Institute of Geochemistry of SB RAS (Irkutsk), Russia
**Институт геохимии СО РАН (Irkutsk), Russia - Fedotov A.K.*, Prischepa S.**, Red`ko S.**, Dolgii A.**, Fedotova V.***, Svito I.*
Электрические свойства наноструктур пористый кремний/кремний и пористый кремний/никель/кремний
*Белорусский государственный университет
**Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Minsk), Belarus
***Научно-практический центр НАНБ по материаловедению (Minsk), Belarus - Fedotov A.K.*, Turischev S.**, Parinova E.**, Fedotova J.***, Streltsov E.*, Иванов Д.*, Mazanik A.*
Электронный транспорт в наноструктурах Si/SiO2/Ni и Ni/Si, полученных методом электрохимического осаждения
*Белорусский государственный университет
**Воронежский государственный университет (Voronezh), Russia
***Центр физики частиц и высоких энергий БГУ (Minsk), Belarus - Fedotov A.K.*, Трафименко А.Г.**, Danilyuk A.***, Prischepa S.***
Низкотемпературная проводимость и магнитосопротивление легированного сурьмой кремния
*Белорусский государственный университет
**Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Minsk), Belarus
***Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Minsk), Belarus - Filimonov S.N.*, Эрвье Ю.Ю.*
Динамика элементарных ступеней на боковых гранях нитевидных нанокристаллов
*Tomsk State University (Tomsk), Russia - Filimonov S.N.*, Эрвье Ю.Ю.*, Sambonsuge S.**, Suemitsu M.**
Surface energy anysotropy and formation mechanisms of heteroepitaxial 3C-SiC/Si(110) films
*Tomsk State University (Tomsk), Russia
**Tohoku University (Sendai), Japan - Galkin K.N.*, Chernev I.M.*, Shevlyagin A.V.*, Галкин Н.Г.*
Formation, optical and electrical properties of semiconductor films of magnesium stannide on Si(111)
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia - Galkin K.N.*, Галкин Н.Г.*, Ховайло В.В.**, Усенко А.**, Воронин А.**
Формирование и свойства объемных кремниевых структур с внедренными кристаллитами дисилицидов Fe и Cr
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
**НИТУ "МИСиС" - Gerasimenko N.N.*, Smirnov D.I.**, Zaporozhan O.***
Радиационные эффекты в кремниевых наноструктурах
*Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Russia
**Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Russia
***Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (Moscow), Russia - Golubovskaya N.O.*, Shimanskiy A.F.*
Investigation of the oxygen behavior in germanium crystals during annealing
*Siberian Federal University (Krasnoyarsk), Russia - Gonik M.*
Unidirectional crystal growth of multi-crystalline silicon under conditions of the reduced gas exchange
*Центр материаловедения "Фотон" (Александров), Russia - Gonik M.*, Croell A.**, Wagner A.***
Ge distribution in the ingot of the Si0.9Ge0.1 alloy in its crystal growth from a thin melt layer
*Центр материаловедения "Фотон" (Александров), Russia
**Institute for Geosciences of University of Freiburg (Фрайбург), Germany
***Institute for Inorganic and Analytical Chemistry (Фрайбург), Germany - Goroshko D.*, Galkin K.N.*, Dosza L.**, Галкин Н.Г.*
Формирование и термоэлектрические свойства кремниевых нанокомпозитов на основе дисилицида хрома и магния
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
**Institute of of Material Science and Technical Physics HAS (Budapest), Hungary - Gosteva E.*, Gerasimenko N.N.**
Study of nanostructured thin antireflection characteristics of porous films for use in solar cells as anti-reflective coating
*НИТУ "МИСиС"
**Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Russia - Grachev D.A.*, Карабанова И.А.*, Ershov A.V.*, Пирогов А.В.*, Pavlov D.*
Нанокристаллы Si и Ge в широкозонных диэлектрических матрицах, полученных высокотемпературным отжигом многослойных нанопериодических структур
*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia - Guralnik A.S.*, Vavanova S.V.*, Доценко С.А.*, Галкин Н.Г.*, Lin K.**
Formation, Morphology and Magnetic Properties of Fe3Si/ε-FeSi/Fe3Si/Si(111) structure
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
**Национальный университет Чунг Шинг (Taichung), Taiwan - Guryanov A.M.*
Генерационные процессы в кремниевых МДП-структурах с наноразмерными диэлектрическими слоями оксидов редкоземельных элементов
*Самарский государственный архитектурно-строительный университет (Samara), Russia - Isamov S.B.*, Аюпов К.С.*, Зикриллаев Н.*, Камалов Х.У.*, Валиев С.А.*, Сапарниязова З.М.*
Время жизни дырок в кремнии с многозарядными кластерами атомов марганца
*Ташкентский государственный технический университет (Tashkent), Uzbekistan - Kamaev G.N.*, Володин В.А.*, Гисматулин А.А.*, Ефанов В.С.*, Черкова С.Г.*
Оптические свойства многослойных наногетероструктур Si\SiO2
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Karaseov P.*, Titov A.*, Karabeshkin K.*
Effect of the density of collision cascade in ion bombarded Si on displacement generation efficiency
*Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет (St. Petersburg), Russia - Kim V.A.*, Trebuhova T.A.*, Kudarinov S.H.*, Tussupova A.U.*
Рисовая шелуха - исходное кремнеуглеродное сырье для получения технического кремния
*Химико-металлургический институт им. Ж. Абишева (Karaganda), Kazakhstan - Kokhanenko A.P.*, Войцеховский А.В.*, Лозовой К.А.*
Dependence of Ge/Si quantum dots parameters on their base width to length ratio
*Tomsk State University (Tomsk), Russia - Kolesnikov A.*, Труханов Е.М.*, Loshkarev I.*, Ильин А.С.*
Tilt boundaries formation in vicinal (001) heterosystem GeSi/Si and GaAs/Si.
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Konakov A.A.*, Беляков В.А.*, Курова Н.В.*, Сидоренко К.В.*, Бурдов В.А.*
Spin relaxation of conduction electrons in silicon nanocrystals and their ensembles
*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia - Kosinova M.*
New precursors and MO CVD processes in nonmaterials technology. Scientific school of Academician F.A. Kuznetsov.
*Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Kosinova M.*, Ермакова Е.Н.*, Semenova O.I.**
Оптические покрытия на основе фаз системы Si-N-C-H
*Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry of SB RAS (Novosibirsk), Russia
**A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Kozlov A.*
Research of the planar magnetotransistor offset by methods of device and technological modeling
*Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Russia - Ksenevich V.*, Adamchuk D.V.*, Gorbachuk N.I.*, Poklonski N.A.*, Wieck A.**
Impedance of polycrystalline tin dioxide films deposited on Si3N4/Si-substrate
*Белорусский государственный университет
**Рурский университет (Бохум), Germany - Kuchinskaya P.*, Zinovyev V.*, Dvurechenskii A.*, Vekshenkova T.**, Rudin S.*
Effect of elastic deformation field distribution on spatial organization of SiGe quantum dots
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
**Novosibirsk State Technical University (Novosibirsk), Russia - Kudryavtsev K.E.*, Крыжков Д.И.**, Красильникова Л.В.**, Шенгуров Д.В.**, Шмагин В.Б.**, Андреев Б.А.**, Красильник З.Ф.**
Estimation of gain cross-section of Er3+ ions in waveguiding Si:Er/SOI structures
*Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики микроструктур Российской академии наук (Nizhniy Novgorod), Russia
**Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia - Kulubaeva E.G.*, Naumova O.V.*, Fomin B.I.*, Popov V.P.*
Подвижность электронов в обогащении в слоях КНИ при различном состоянии поверхности
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Kurbonov M.*, Ashurov K.B.**, Abdurakhmanov B.*
Features of commercial silicon technology in view of the resource base of the Republic of Uzbekistan
*Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan
**Институт ионно- плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбе (Tashkent), Uzbekistan - Kutuzov L.*
Структура и термическая стабильность металлосодержащих кремний-углеродных нанокомпозитов
*Национальный Исследовательский Центр "Курчатовский институт" - Kveder V.*, Khorosheva M.*
On the nature of defects produced by motion of dislocations in silicon
*Институт физики твердого тела РАН (Chernogolovka), Russia - Latukhina N.V.*, Chepurnov V.I.*, Davydov D.M.**, Тимошенко В.Ю.***, Жигунов Д.М.***
Strucrure and Composition Carbidised Lays of Porous Silicon
*Самарский государственный университет (Samara), Russia
**Самарский государственный технический университет (Samara), Russia
***Московский государственный университет (Moscow), Russia - Lenshin A.S.*, Kashkarov V.M.**, Anisimov A.*, Domashevskaya E.P.**, Beltyukov A.N.***, Gilmutdinov F.Z.***
Investigation of theporous silicon surface composition by X-ray photoelectron and ultrasoft x-ray emission spectroscopy.
*ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
**Воронежский государственный университет (Voronezh), Russia
***Физико-технический институт УрО РАН (Izhevsk), Russia - Lenshin A.S.*, Kashkarov V.M.**, Seredin P.V.**, Налимова С.С.***, Moshnikov V.****, Myakin S.V.*****
Investigation of the effects of treatment in the polyacrylic acid solution on the surface composition and photoluminescence of porous silicon
*ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
**Воронежский государственный университет (Voronezh), Russia
***Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) (St. Petersburg), Russia
****Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. В. И. Ульянова (Ленина) "ЛЭТИ" (St. Petersburg), Russia
*****Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ (St. Petersburg), Russia - Levitckii V.S.*, Lenshin A.S.**
Особенности рамановских спектров и фотолюминесценции различных видов пористого кремния для применения в энергосберегающих технологиях
*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
**ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia - Loshachenko A.S.*, Данилов Д.В.*, Shek E.**, Vyvenko O.***, Sobolev N.****
The electrically active centers in oxygen-implanted n-Cz-Si.
*Санкт-Петербургский государственный университет (St. Petersburg), Russia
**Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (St. Petersburg), Russia
***НИИ физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет (St. Petersburg), Russia
****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia - Lysyak E.A.*
SiTec - Excellence in Silicon Technology
*SiTec GmbH (Burghausen), Germany - Magomedov M.N.*
Dependencies of the lattice properties versus of size and shape of nanocrystal of silicon
*Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем геотермии Дагестанского научного центра Российской академии наук (Mahachkala), Russia - Makhviladze T.*, Minushev A.*, Сарычев М.Е.**
Advanced model of the copper CMP process for silicon nanotransistor technology
*Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia
**Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia - Makhviladze T.*, Сарычев М.Е.**
A strain-kinetic model for coalescence of oxygen precipitates in silicon
*Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia
**Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia - Makhviladze T.*, Сарычев М.Е.**
Influence of point defects on the coalescence rate of oxygen-containing precipitates in silicon
*Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia
**Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia - Malyarenko N.F.*, Naumova O.V.*, Fomin B.I.*, Popov V.P.*
Определение плотности поверхностных состояний и зарядового состояния кни-нанопроволочных сенсоров при адсорбции белка
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Matyushkin I.V.*, Коробов С.В.*, Михайлов А.Н.**, Тетельбаум Д.И.**
Cellular automata simulation of the processes of secondary defect formation under ion implantation
*ОАО "НИИ молекулярной электроники" (Moscow), Russia
**Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia - Mezhennyi M.V.*, Filatov M.Y.**, Роговский Е.С.*, Kobeleva S.P.***, Щемеров И.В.***, Соловьева Ю.С.***
Преимущество использования высокоомных подложек БЗП кремния p-типа для изготовления pin-диодов
*ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
**ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
***НИТУ "МИСиС" - Mezhennyi M.V.*, Падалица А.А.**, Мармалюк А.А.**, Акчурин Р.Х.***, Абдуллаев О.Р.****, Роговский Е.С.*, Курешов В.А.*****, Сабитов Д.Р.*****, Мазалов А.В.*****
Разработка технологии создания эпитаксиальных структур нитрида галлия на кремнии для мощных СВЧ pin диодов
*ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
**ОАО "НИИ "Полюс" (Moscow), Russia
***Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
****ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
*****ОАО "НИИ "Полюс" (Moscow), Russia - Mitin D.*, Serdobintsev A.*
Управление скоростью роста пленок аморфного кремния при синтезе методом магнетронного распыления
*Саратовский государственный университет им.Н.Г.Чернышевского (Saratov), Russia - NAGAYOSHI H.*, Diplas S.**, Walmsley J.C.**, Graff J.S.**, Chirvony V.***, Juan P.***, Ulyashin A.**
Ultra Fine Silicon Nanowire Growth Using Hydrogen Radical Etching Reaction
*Tokyo National College of Technology (Tokyo), Japan
**SINTEF Materials and Chemistry (Oslo), Norway
***University of Valencia (Valencia), Spain - Nagornyh S.*, Pavlenkov V.**, Михайлов А.Н.**, Belov A.**, Korolev D.**, Bobrov A.**, Pavlov D.**, Тетельбаум Д.И.**, Shek E.***
Распределение структурных нарушений и центров дислокационной фотолюминесценции в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+
*Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева (Nizhniy Novgorod), Russia
**Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (St. Petersburg), Russia - Naida G.A.*, Prokofieva V.K.*
The influence of defects of the silicon substrate to form AlN layers
*Национальгный исследовательский университет"МИЭТ" (Moscow), Russia - Naumov A.V.*, Anoshin K.E.**
Cz-growth of low-dislocation Ge crystals
*ОАО Научно-Производственное Предприятие КВАНТ (Moscow), Russia
**ОАО Гиредмет (Moscow), Russia - Nekhamin S.*
Металлургические методы и оборудование для получения и очистки кремния
*ООО "НПФ КОМТЕРМ" (Moscow), Russia - Nekrasov A.V.*, Naumov A.V.**
Polysilicon Market up to 2018
*ОАО НПП КВАНТ (Moscow), Russia
**ОАО Научно-Производственное Предприятие КВАНТ (Moscow), Russia - Nemchinova N.V.*
формирование интерметаллидов при кристаллизации кремниевого расплава
*Национальный исследовательский Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia - Nikiforov A.*, Tomofeev V.A.*, Tyes S.*, Pchelyakov O.P.*
Surface structure of thin pseudomorphological GeSi films
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Novikov V.A.*
Effect of scan settings on value of roughness in scaning probe microscopy
*Tomsk State University (Tomsk), Russia - Nussupov K.K.*, Beisenkhanov N.B.*, Zharikov S.K.*, Beisembetov I.K.*, Professor B.K.*, Akhmetov T.K.*, Seitov B.Z.*
The formation of the SiC thin films on Si substrates by an ion beam sputtering
*Казахстанско-Британский технический университет (Almaty), Kazakhstan - Nussupov K.K.*, Beisenkhanov N.B.*, Zharikov S.K.*, Beisembetov I.K.*, Professor B.K.*, Bakranova D.I.*, Bakranov N.B.*
The formation of aluminum and aluminum oxide nanofilms by magnetron sputtering
*Казахстанско-Британский технический университет (Almaty), Kazakhstan - Olimov L.O.*, Kurbonov M.**, Abdurakhmanov B.**
Effect of switching of current direction and of voltage under heating of polycrystalline silicon structures doped by deep impurities
*Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan
**Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan - Orlov O.M.*
исследование конструктивно-технологических особенностей элементов встроенной энергонезависимой памяти, основанной на хранении заряда
*НИИ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (Москва Зеленоград), Russia - Pamirsky I.E.*
Phytolithes as the source of microdimensional silicon dioxide for microelectronics
*Институт геологии и природопользования ДВО РАН (Blagoveschensk), Russia - Parashchenko M.A.*, Филиппов Н.С.*, Кириенко В.В.*, Романов С.И.*
Electroosmotic pump based on asymmetric silicon microchannel membrane
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Pavlov S.G.*, Abrosimov N.V.**, Deßmann N.***, Böttger U.*, Redlich B.****, van der Meer A.****, Zhukavin R.Kh.*****, Shastin V.N.*****, Irmscher K.**, Riemann H.**
Interplay of inversion-less and inversion-based terahertz stimulated intracenter emission in isotopically enriched silicon doped by bismuth
*Institute of Planetary Research, German Aerospace Center (Berlin), Germany
**Leibniz Institute of Crystal Growth (Berlin), Germany
***Institut für Optik und Atomäre Physik, Technische Universität Berlin (Berlin), Germany
****FELIX Facility, Radboud University (Nijmegen), The Netherlands
*****Institute for Physics of Semiconductors (N.Novgorod), Russia - Pavlovska N.T.*, Litovchenko P.G.*, Pavlovskiy Y.V.**, Uhryn Y.O.**
Magnetoresistance of neutron irradiation Si0,97Ge0,03 whiskers
*Институт ядерных исследований НАН Украины (Киeв), Ukraine
**Дрогобычский государственный педагогический университет (Дрогобыч), Ukraine - Pavlyk B.*, Hrypa A.*
The influence of X-ray irradiation on temperature sensors parameters based on p-n-junctions of Si transistors
*Львовский национальный университет имени Ивана Франко (Lviv), Ukraine - Pchelyakov O.P.*
Molecular beam epitaxy of heterostructures GaAs on Si for photovoltaic
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Pimenov V.G.*
Methods of elemental analysis of high-purity silicon and its precursors
*ФГБУН Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (Nizhniy Novgorod), Russia - Poklonski N.A.*, Gorbachuk N.I.*, Shpakovski S.V.*, Melnikov A.**, Wieck A.***
Raman scattering in p type silicon irradiated with 100 keV manganese ions
*Белорусский государственный университет
**Университет Торонто (Toronto), Canada
***Рурский университет (Бохум), Germany - Poklonski N.A.*, Lastovskii S.B.**, Presting H.***, Sobolev N.A.****, Siahlo A.I.*
Influence of electron irradiation on p-n junctions in Si-Ge superlattices
*Белорусский государственный университет
**Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению (Minsk), Belarus
***Daimler Research & Development Ulm (Ульм), Germany
****Universidade de Aveiro (Aveiro), Portugal - Polikarpov M.A.*, Yakimov E.B.**
Investigations of properties of silicon based semiconductor converter for beta-voltaic element
*Национальный Исследовательский Центр "Курчатовский институт"
**Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (Chernogolovka), Russia - Rogozhina G.A.*, Rogozhin A.S.*, Latukhina N.V.*, Лизункова Д.А.*
Фотоэлектрические свойства структур на базе пористого кремния
*Самарский государственный университет (Samara), Russia - Rysbaev A.S.*, Hujaniyozov J.B.**, Rahimov A.M.*, Fayzullaev R.F.*, Bekpo'latov I.R.*
Features of spectrums of characteristic losses of energy of electrons are in the ionic implanted layers of silicon
*Ташкентский Государственный Технический Университет (Tashkent), Uzbekistan
**Ташкентский Государственный Технический Университет (Tashkent), Uzbekistan - Rysbaev A.S.*, Hujaniyozov J.B.**, Rahimov A.M.*, Fayzullaev R.F.*, Bekpo'latov I.R.*, Rysbaeva Z.A.*
Forming of nanosize thin-films of silicides on the surface of single-crystal of Si
*Ташкентский Государственный Технический Университет (Tashkent), Uzbekistan
**Ташкентский Государственный Технический Университет (Tashkent), Uzbekistan - Semenova O.I.*, Козельская А.И.**, Спесивцев Е.В.***
Механические напряжения в плазмохимическом SiNx:H
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
**Institute of Strength Physics and Materials Science SB RAS (Tomsk), Russia
***United Institute of Semiconductor Physics SB RAS (Novosibirsk), Russia - Sharafeeva I.*, Tiutrin A.A.*
The investigations of impurity compounds formation during silicon melt crystallization
*Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia - Sivkov V.N.*, Lomov A.A.**, Некипелов С.В.***, Sivkov D.V.*, Петрова О.В.****
NEXAFS and XPS studies of porous silicon
*Коми научный центр Уральского отделения РАН (Syktyvkar), Russia
**Физико-технический институт РАН (Moscow), Russia
***Сыктывкарский госуниверситет (Syktyvkar), Russia
**** Коми научный центр УрО РАН (Syktyvkar), Russia - Skupov A.V.*
Моделирование накопления радиационных дефектов в приборных структурах с самоформирующимися наноостровками Ge(Si)/Si(001) при облучении нейтронами
*ФГУП "ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова" (Nizhniy Novgorod), Russia - Smirnov D.I.*, Gerasimenko N.N.**, Chamov A.A.***, Zablotsky A.V.****
Investigation of dimensional effects on the mechanical and plastic properties of nanostructures
*Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Russia
**Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Russia
***ОАО "НИИМЭ и завод "Микрон" (Москва, Зеленоград), Russia
****Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет) (Dolgoprudnyy), Russia - Smirnova T.P.*, Yakovkina L.V.*, Borisov V.O.*, Kichai V.N.*
Оксиды редких и редкоземельных металлов-новые материалы наноэлектроники и оптоэлектроники
*Институт неорганической химии СО РАН (Novosibirsk), Russia - Sobolev N.*
Кремниевые светодиоды для кремниевой оптоэлектроники
*Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia - Sokolov L.V.*, Болховитянов Ю.Б.*, Derjabin A.S.*, Гутаковский А.К.**
Краевые дислокации несоответствия в эпитаксиальных напряженных пленках полупроводников с решеткой сфалерита и алмаза: образование и участие в пластической релаксации
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
**Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia - Sorokin L.*, Аргунова Т.С.*, Abrosimov N.**
Микроструктура кристаллов SiGe большого диаметра
*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
**Leibniz Instutute for Crystal growth (Berlin), Germany - Sorokin L.*, Калмыков А.Е.*, Мясоедов А.В.*, Бессолов В.Н.*, Кукушкин С.А.**
Кремний - перспективный материал III-нитридной электроники
*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
**Институт проблем машиноведения РАН (St. Petersburg), Russia - Steinman E.A.*, Orlov L.K.**
Особенности структуры и электронные свойства гетерокомпозиций 3C–SiC/SiGeC/Si(100)
*Институт физики твердого тела РАН (Chernogolovka), Russia
**Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia - Stepanov A.L.*
Синтез пористого кремния с наночастицами серебра методом низкоэнергетической ионной имплантации
*Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН (Kazan), Russia - Suvorov E.V.*, Smirnova I.A.*
Искажения рентген топографических изображений дислокаций в результате воздействия пространственно протяженных деформаций в монокристаллах кремния.
*Институт физики твердого тела РАН (Chernogolovka), Russia - Tereshchenko A.N.*, Steinman E.A.*, Мазилкин А.А.*, Khorosheva M.*, Kononchuk O.**
Структура и электронные свойства дефектов на границе соединенных пластин Si (001)
*Институт физики твердого тела РАН (Chernogolovka), Russia
**SOITEC (Гренобль), France - Timofeev A.K.*, Nemchinova N.V.*
Новый подход к изучению процесса выплавки кремния
*Национальный исследовательский Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia - Tiutrin A.A.*
Acid-ultrasound silicon refining when technology carbothermal
*Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia - Tynyshtykbaev K.B.*
Высокоэффективные пористые кремниевые фотоэлектроды
*Физико-технический институт (Almaty), Kazakhstan - Tyurin A.I.*, Shuvarin I.A.*, Pirozhkova T.S.*
Conditions viscous-brittle fracture silicon and germanium at micro- and nanoindentation
*НОЦ «Нанотехнологии и наноматериалы» ТГУ имени Г.Р.Державина (Tambov), Russia - Vdovin V.I.*, Fedina L.I.*, Гутаковский А.К.**, Shek E.***, Sobolev N.****
Formation of structural defects in Si wafers irradiated with low-energy electron beam
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
**Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia
***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (St. Petersburg), Russia
****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia - Verezub N.*, Prostomolotov A.I.**
Способ снижения напряжений в большегрузных монокристаллах кремния при выращивании методом Чохральского
*Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (Moscow), Russia
**Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (Moscow), Russia - Verezub N.*, Волошин А.Э.**, Prostomolotov A.I.***
Анализ применимости аналитических моделей для расчета эффективного коэффициента распределения примеси
*Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (Moscow), Russia
** Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт кристаллографии им. А.В. Щубникова Российской академии наук (Moscow), Russia
***Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (Moscow), Russia - Vikulov V.*, Коробцов В.В.*, Балашев В.В.*, Писаренко Т.А.*, Димитриев А.А.*
Особенности электрического транспорта в гибридных структурах Fe3O4/SiO2/Si с разным типом проводимости подложки
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia - Vladimirov V.M.*, Markov V.V.**, Shepov V.N.*
«Rometer» and «Taumeter-2M» -computer-aided resistivity and minority carrier lifetime meters for semiconductors
*Научно-производственная фирма "Электрон" (Krasnoyarsk), Russia
**Krasnoyarsk Scientific Center of SB RAS (Krasnoyarsk), Russia - Yarykin N.*
Copper in silicon: Complexes and interaction with radiation defects
*Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Chernogolovka), Russia - Yevdokimov I.I.*, Pimenov V.G.*
Atomic emission and atomic absorption analysis of high-purity silicon using impurities concentration by matrix fluoridation and distillation in autoclave
*ФГБУН Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (Nizhniy Novgorod), Russia - Yolkin K.*, Doshlov O.I.**, Зельберг Б.И.***, Яковлев С.П.****, Балакирев С.В.****, Кондратьев В.В.*****
СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПОЛУЧЕНИЯ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
*ООО «РУСАЛ Инженерно-технологический центр» (Krasnoyarsk), Russia
**Национальный исследовательский Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia
***ООО «Спецстройинвест» (Irkutsk), Russia
****ООО «Карборундум Технолоджис» (St. Petersburg), Russia
*****НИУ Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia - Yolkin K.*, Яковлев С.П.**, Ёлкин Д.К.***, Молявко А.А.***
ОБ ЭФФЕКТИВНЫХ ТЕХНОЛОГИЯХ ПЕРЕДЕЛА ТЕХНИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
*ООО «РУСАЛ Инженерно-технологический центр» (Krasnoyarsk), Russia
**ООО «Карборундум Технолоджис» (St. Petersburg), Russia
***ЗАО «Кремний» (Шелехов), Russia - Yu Y.*, Semenova O.I.**
Strained Silicon in Electronics and Photonics
*Institute of Semiconductors CAS (Pekin), China
**A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Yurasov D.V.*, Drozdov M.N.*, Shaleev M.V.*, Yunin P.A.*
Formation of SiGe heterostructures with high Ge content and their selective doping by segregating impurities
*Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia - Yurasov D.V.*, Новиков А.В.**, Shaleev M.V.*, Yunin P.A.*
Influence of the sign of elastic strain on growth of SiGe heterostructures
*Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
**Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia - Zakirov R.*, Парфенов О.Г.*
Восстановление тетрахлорида кремния субхлоридом алюминия
*Institute of Chemistry and Chemical Technology of SB RAS (Krasnoyarsk), Russia - Zyulkov I.J.*, Hikavyy A.**
Strained SiGe layers growth with digermane/disilane precursors combination
*ОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники" (Moscow), Russia
**Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC) (Лёвен), Belgium - Аскаров Ш.И.*, Шукурова Д.*
Высокочувствительные фотоприемники на базе кремния, содержащие наноразмерные многозарядные примесные кластеры марганца
*Ташкентский Государственный технический университет (Tashkent), Uzbekistan - Астров Ю.А.*, Шуман В.Б.*, Лодыгин А.Н.*, Порцель Л.М.*, Шастин В.Н.**, Павлов С.Г.***, Deßmann N.****, Abrosimov N.V.*****, Козлов В.А.******, Hübers H.W.***
Легирование кремния донорными центрами магния
*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
**Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
***Institute of Planetary Research, German Aerospace Center; Institut für Optik und Atomäre Physik, Technische Universität Berlin (Berlin), Germany
****Institut für Optik und Atomäre Physik, Technische Universität Berlin (Berlin), Germany
*****Leibniz Institute of Crystal Growth (Berlin), Germany
******НПО ФИД-Техника (St. Petersburg), Russia - Баталина А.В.*, Метлов В.А.**, Романов А.А.**, Чумак В.Д.***
Практическое применение метода фото-ЭДС для оценки качества КНС-структур
*Зеленоград (Moscow), Russia
**ОАО "Ангстрем" (Zelenograd), Russia
***ЗАО "Эпиэл" (Zelenograd), Russia - Бердников В.С.*, Антонов П.В.*
Сопряженный конвективный теплообмен в методе Бриджмена в режимах равномерного и реверсивного вращения тигля
*Kutateladze Institute of Thermophysics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Брылевский В.И.*, Грехов И.В.*, Брунков П.Н.*, Rodin P.B.**, Смирнова И.А.**
Influence of Silicon Growth Method and Structure Doping Profile on Subnanosecond Avalanche Switching of High Voltage Diodes
*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) (St. Petersburg), Russia
**Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia - Велиханов А.Р.*
Пластичность монокристаллов кремния в условиях совместного воздействия теплового поля и электрического тока
*ФГБУН Институт физики ДагНЦ РАН им. Амирханова (Mahachkala), Russia - Галкин Н.Г.*, Безбабный Д.А.*, Чернев И.М.*, Nemes-Incze P.**, Dosza L.**, Pecz B.**, Гутаковский А.К.***, Kudrawiec R.****
Структура и свойства полупроводниковых пленок силицидов кальция и двойных гетероструктур на их основе на Si(111)
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
**Institute of of Material Science and Technical Physics HAS (Budapest), Hungary
***Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia
****Institute of Physics of Wroclaw Technological University (Wroclaw), Poland - Галкин Н.Г.*, Чернев И.М.*, Shevlyagin A.V.*, Гутаковский А.К.**
Пленки MnSi1.75-x на Si(111) и двойные гетероструктуры Si/ MnSi1.75-x /Si(111): формирование, структура и свойства
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia
**Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia - Гисматулин А.А.*, Kamaev G.N.*
Электрофизические свойства наноструктур Si/SiO2, полученных методом прямого сращивания
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Гусев О.Б.*, Андреев Б.А.**, Ershov A.V.***, Grachev D.A.***, Яблонский А.****
Экспериментальное наблюдение фотолюминесценции автолокализованных экситонов на поверхностных Si-Si димерах нанокристаллов Si в матрице SiO2
*ФТИ им.А.Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
**Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia
***Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
****Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia - Димитриев А.А.*, Балашев В.В.*, Писаренко Т.А.*, Vikulov V.*, Коробцов В.В.*
Эффект низкотемпературного переключения канала проводимости в гибридных структурах Fe3O4/SiO2/n-Si
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia - Елисеев И.А.*, Непомнящих А.И.**
Рафинирование металлургического кремния увлажнённым паром в условиях заводского эксперимента
*A.P.Vinogradov Institute of Geochemistry of SB RAS (Irkutsk), Russia
**Институт геохимии СО РАН (Irkutsk), Russia - Ермакова Е.Н.*, Румянцев Ю.М.*, Kosinova M.*
Оптические и механические свойства пленок SiCxNy, осажденных из триметилфенилсилана
*Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Жураев Ж.У.*, Кадыров А.Л.*
Электрофизические свойства вторичного литого поликристаллического кремния
*Худжандский государственный университет имени академика Б. Гафурова (Худжанд), Tadjikistan - Иванова М.М.*, Киселев В.К.*, Качемцев А.Н.*, Лебедева Ю.С.*, Yurasov D.V.**
Проблемы обеспечения радиационной стойкости оптопар на кремнии
*ФГУП "ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова" (Nizhniy Novgorod), Russia
**Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia - Иванова М.М.*, Киселев В.К.*, Качемцев А.Н.*, Филатов Д.О.**, Guseinov D.V.**, Шенгуров В.Г.**, Yurasov D.V.***
Исследование радиационной стойкости pin-фотодетекторов на базе соединений SiGe
*ФГУП "ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова" (Nizhniy Novgorod), Russia
**Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
***Институт физики микроструктур РАН (Nizhniy Novgorod), Russia - Илиев Х.М.*, Абдурахманов Б.А.*, Саитов Э.Б.*, Мавлонов Г.Х.*, Мавлянов А.Ш.*, Sodikov U.X.**
Физические основы формирования нанокластеров примесных атомов в полупроводниках
*Ташкентский государственный технический университет (Tashkent), Uzbekistan
**Ташкентский государственный технический университет (Tashkent), Uzbekistan - Карпенко А.В.*
Углеродные материалы для использования в процессе выращивания монокристаллов кремния по методу Чохральского
*Запорожская государственная инженерная академия (Запорожье), Ukraine - Касмамытов Н.К.*, Makarov V.P.**, Ласанху К.А.*, Асанов Б.У.*
Наноструктурированные материалы, полученные на основе отходов производства монокремния
*Институт физико-технических проблем и материаловедения (Bishkek), Kyrgyzstan
**Кыргызско-Российский Славянский университетй (Bishkek), Kyrgyzstan - Кириенко В.В.*, Армбристер В.А.*, Блошкин А.А.*, Якимов А.И.*
Внутризонные оптические переходы дырок в напряженных квантовыхямах SiGe
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Котерева Т.В.*, Гавва В.А.*, Гусев А.В.*
Diagnostics of impurity composition of high-pure monosilane by analysis results of the control silicon monocrystal.
*Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН (Nizhniy Novgorod), Russia - Коюда Д.А.*, Турищев С.Ю.**, Терехов В.А.***, Спирин Д.Е.*, Паринова Е.В.****, Нестеров Д.Н.*, Карабанова И.А.*****, Ershov A.V.*****, Машин А.И.*****, Domashevskaya E.P.******
Характеризация синхротронным методом XANES светоизлучающих многослойных нанопериодических структур, содержащих нанокристаллы Si
*ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
**ФГБОУ ВПО "Воронежский государственный университет" (Voronezh), Russia
***ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
****ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
*****Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
******Воронежский государственный университет (Voronezh), Russia - Ларюшкин А.С.*, Filatov M.Y.*, Antonov V.A.*
Development series ultra stable precision silicon diodes with increasing the time and thermal stability
*ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia - Леонова М.С.*
Обработка результатов испытаний по окомкованию шихты методом планирования эксперимента
*НИ ИрГТУ (Irkutsk), Russia - Литвиненко Т.Н.*
Использование импульсного воздействия высокоинтенсивного потока энергии для дробления кристаллического кремния
*Запорожская государственная инженерная академия (Запорожье), Ukraine - Миловзоров Д.Е.*
Влияние фторидов кремния на фотолюминесценцию пленок нанокристаллического кремния (111)
*РГРУ (Moscow), Russia - Мирбабаев М.М.*, Аскаров Ш.И.*
Влияние наномолекул селена на эффективность переобразования солнечной энергии в кремниевых элементах с p-n переходом
*Ташкентский Государственный технический университет (Tashkent), Uzbekistan - Нежданов А.В.*, Машин А.И.*, Ershov A.V.*, Чевелева Е.А.*
Оптические свойства систем SiOx:SiO2 на поверхности ВОПГ
*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia - Непомнящих А.И.*, Пресняков Р.В.*, Антонов П.В.**, Бердников В.С.**
Выращивание мультикристаллического кремния на основе металлургического кремния высокой чистоты
*Институт геохимии СО РАН (Irkutsk), Russia
**Kutateladze Institute of Thermophysics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Никулина Л.Д.*, Сысоев С.В.*, Цырендоржиева И.П.**, Гостевский Б.А.**, Рахлин В.И.**, Kosinova M.*, Кузнецов Ф.А.*
Влияние структурных особенностей кремний- и борорганических соединений на физико-химические свойства прекурсоров для синтеза пленок SiCxNy и SiBxCyNz
*Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry of SB RAS (Novosibirsk), Russia
**Irkutsk Institute of Chemistry of SB RAS (Irkutsk), Russia - Орлов В.И.*, Feklisova O.V.**, Yakimov E.B.***
Влияние меди на рекомбинационную активность протяжённых дефектов в кремнии
*Институт физики твердого тела РАН (Chernogolovka), Russia
**Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Chernogolovka), Russia
***Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (Chernogolovka), Russia - Орлов В.И.*, Feklisova O.V.**, Yakimov E.B.***
Investigations of extended defect properties in plqastically deformed Si by the EBIC and LBIC methods
*Институт физики твердого тела РАН (Chernogolovka), Russia
**Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Chernogolovka), Russia
***Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (Chernogolovka), Russia - Орлов С.Н.*, Timoshenkov S.P.**, Vinogradov A.I.**, Khomakov I.A.***, Pushkina A.A.***
Design of non-volatile MEMS switch
*ОАО "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (Moscow), Russia
**National Research University of Electronic Technology / MIET (Moscow), Russia
***Molecular Electronics Research Institute JSC (Mocsow), Russia - Парфеньева А.В.*, Румянцев А.М.*, Li G.**, Astrova E.V.*
Кремниевые высокоаспектные микроструктуры для анодов литий - ионных аккумуляторов
*ФТИ им. Иоффе (С.Петербург), Russia
**Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia - Плюснин Н.И.*
Металлические наномультислои на кремнии: рост, свойства и применение
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia - Плюснин Н.И.*
Формирование и электронно-спектроскопический контроль атомно-тонких пленок
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia - Потапов А.А.*
Природа и механизм проводимости полупроводников
*пенсионер (Irkutsk), Russia - Потапов А.А.*
Физические процессы в полупроводниковых приборах
*пенсионер (Irkutsk), Russia - Путря М.Г.*, Панкратов О.В.*, Голишников А.А.**, Рыбачек Е.Н.**
Метод формирования кремниевых нанопроволочных ионно-чувствительных транзисторных структур
*Национальный исследовательский университет МИЭТ (Moscow), Russia
**Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ (Moscow), Russia - Пушкарев Р.*, Файнер Н.*, Румянцев Ю.*, Максимовский Е.*
Synthesis of Fe-Si-CN Layers by thermal vapor decomposition of organosilicon compound and the ferrocene
*Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Румянцев Ю.*, Плеханов А.*, Файнер Н.*, Максимовский е.*, Шаяпов В.*, Юшина И.*
Hydrogenated silicon oxycarbonitride films - promising materials for opto - and nanoelectronics
*Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Смагина Ж.В.*, Dvurechenskii A.*, Зиновьева А.Ф.*, Степина Н.П.*, Новиков П.Л.*, Kuchinskaya P.*
Линейные цепочки квантовых точек, полученные с помощью ионного облучения
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Смирнов Р.В.*, Бибиков М.Б.*, Московский А.С.*
Silicon production by monoxide reduction in plasma
*НИЦ Курчатовский институт (Moscow), Russia - Соловьева Ю.С.*, Schemerov I.V.*, Anfimov I.M.*, Кобелева С.П.*
О применимости СВЧ метода для определения времени жизни неравновесных носителей заряда на непассивированных образцах монокристаллического кремния
*НИТУ "МИСиС" - Суздальцев Е.И.*
Аморфный диоксид кремния. Способы получения и области применения
*ОАО "ОНПП "Технология" (Obninsk), Russia - Терехов В.А.*, Лазарук С.К.**, Турищев С.Ю.***, Занин И.Е.****, Usoltseva D.****, Anisimov A.*****, Степанова А.А.****
Особенности атомной и электронной структуры нанокомпозитов Al-Si
*ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
**Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Minsk), Belarus
***ФГБОУ ВПО "Воронежский государственный университет" (Voronezh), Russia
****ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
*****ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia - Терехов В.А.*, Паринова Е.В.**, Ундалов Ю.К.***, Трапезникова И.Н.***, Теруков Е.И.***
Определение степени окисления кремния и содержания кластеров кремния в пленках SiOx методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии
*ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
**ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
***Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia - Турищев С.Ю.*, Терехов В.А.**, Анисимов А.В.***, Чувенкова О.А.***, Юраков Ю.А.***, Спирин Д.Е.****, Паринова Е.В.*****, Коюда Д.А.****, Тонких А.******
Атомное и электронное строение эпитаксиальных нанослоев кремний-олово на кремнии по данным синхротронных исследований
*ФГБОУ ВПО "Воронежский государственный университет" (Voronezh), Russia
**ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
***ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
****ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
*****ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Voronezh), Russia
******Martin Luther University Halle-Wittenberg (Галле ), Germany - Федоров С.Н.*, Nemchinova N.V.**
Структура программы для расчета материального баланса выплавки кремния в руднотермических печах
*Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia
**Национальный исследовательский Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia - Федоров С.Н.*, Бельский С.С.*
Анализ физико-химических моделей получения кремния в руднотермических печах
*Иркутский государственный технический университет (Irkutsk), Russia - Фрицлер К.Б.*, Труханов Е.М.*, Калинин В.В.*
Исследование дефектной структуры монокристаллов БЗП кремния на различных этапах кристаллизации
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Фрицлер К.Б.*, Чистохин И.Б.*, Fomin B.I.*, Калинин В.В.*, Pchelyakov O.*
Эффект геттерирования при изготовлении pin фотодиодов на высокомном кремнии
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Шагаров Б.А.*, Краснобаев Ю.В.**
Алгоритм работы солнечной батареи в точке оптимальной мощности
*Общество с ограниченной отвественностью "ГЕЛИОЛАБ" (Krasnoyarsk), Russia
**Siberian Federal University (Krasnoyarsk), Russia - Шагаров Б.А.*, Логинов Ю.Ю.**
Инновационные технологии солнечной энергетики
*Общество с ограниченной отвественностью "ГЕЛИОЛАБ" (Krasnoyarsk), Russia
**Сибирский аэрокосмический университет (Krasnoyarsk), Russia - Шагаров Б.А.*, Шелепов В.А.**
Эксперсс диагностика кремниевых солнечных батарей
*Общество с ограниченной отвественностью "ГЕЛИОЛАБ" (Krasnoyarsk), Russia
**Сибирский аэрокосмический университет (Krasnoyarsk), Russia - Шагаров Б.А.*, Шелепов В.А.**
Экспресс контроль ФЭП для космоса
*Общество с ограниченной отвественностью "ГЕЛИОЛАБ" (Krasnoyarsk), Russia
**Сибирский аэрокосмический университет (Krasnoyarsk), Russia - Шамирзаев Т.С.*, Галкин Н.Г.**, Shevlyagin A.V.**, Саранин А.А.**, Латышев А.В.*
Светодиодные 1,5 мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+-Si/НК β-FeSi2/n-Si
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
**Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Vladivostok), Russia - Шварцман Л.Я.*
Некоторые аспекты современной технологии полупроводникового кремния
*Activ Solar Gmbh, Vienna, Austria (Запорожье), Ukraine - Шуман В.Б.*, Лодыгин А.Н.*, Порцель Л.М.*
Взаимодействие неравновесных междоузельных атомов кремния с примесью серы при высоких температурах
*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia - Якимов А.И.*, Кириенко В.В.*, Армбристер В.А.*
Повышение эффективности излучательной рекомбинации в слоях квантовых точек Ge/Si после обработок в водородной плазме
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia