Бураченко, Александр Геннадьевич


Институт сильноточной электроники СО РАН
http://www.hcei.tsc.ru
Россия, 634055, Томск, пр. Академический, 2/3
Телефон: +7(382-2) 49-15-44, Факс: +7(382-2) 49-24-10

Список докладов

  1. Тарасенко В.Ф.*, Бураченко А.Г.*, Бакшт Е.Х.*
    Излучение полиметилметакрилата при облучении пучком убегающих электронов, сформированных в газовом диоде
    *Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия
  2. Бакшт Е.Х.*, Беломытцев С.*, Бураченко А.Г.*, Гришков А.*, Шкляев В.А.*
    Стабильность формирования пучка убегающих электронов в азоте при давлении 100 Торр
    *Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия

К списку участников