Бакшеев, Дмитрий Георгиевич


Новосибирский государственный университет
http://www.nsu.ru
Россия, 630090, Новосибирcк, ул. Пирогова, д.2
Телефон: +7 (383) 330 13 49, Факс: +7 (383) 333 24 37

Список докладов

  1. Ткаченко О.А.*, Бакшеев Д.Г.**, Сушков О.П.***, Ткаченко В.А.*
    Влияние самоорганизации поверхностных зарядов на квантовый микроконтакт
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    **Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
    ***University of New South Wales (Сидней), Австралия
  2. Ткаченко О.А.*, Бакшеев Д.Г.**, Ткаченко В.А.*, Сушков О.П.***
    Моделирование самоорганизации локализованных зарядов на границе полупроводника с подзатворным диэлектриком
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    **Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
    ***University of New South Wales (Сидней), Австралия

К списку участников