Ткаченко, Ольга Александровна
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Список докладов
- Ткаченко О.А.*, Бакшеев Д.Г.**, Сушков О.П.***, Ткаченко В.А.*
Влияние самоорганизации поверхностных зарядов на квантовый микроконтакт
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
***University of New South Wales (Сидней), Австралия - Ткаченко О.А.*, Бакшеев Д.Г.**, Ткаченко В.А.*, Сушков О.П.***
Моделирование самоорганизации локализованных зарядов на границе полупроводника с подзатворным диэлектриком
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
***University of New South Wales (Сидней), Австралия